晶体管在切换电子信号时的动态功率消耗与电容成正比，它们才可以在速度更快的同时，做到更加省电。这就是为什么当制程工艺提升后，芯片的性能和能效都能实现跨越。

当栅极宽度逼近20nm时，栅极对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高，对生产工艺的难度要求也上了一个台阶，而工艺继续微缩，硅晶体管的尺寸缩小到一定程度（业内认为小于10nm）时会产生量子效应，导致晶体管的特性将更加难以控制，这时候对于芯片的制造生产难度显然成倍增长。

高通推出骁龙835，采用10nm FinFET工艺节点的移动平台，为用户打造了突破性的性能和出色的能效表现。并在2018年的旗舰产品骁龙845移动平台上延续了领先的性能体验。

主要特性和优势额定峰值脉冲功率：PTVS系列，PPPM = 400 W（3.3 V时为350 W）：MMBZ系列，PPPM = 24，最高40 W与采用相同或相似封装的产品相比，峰值脉冲功率翻倍采用小型塑料封装SOD123W/高度极低(2.7x1.7x1 mm)与SMA封装相比，电路板空间减少50%PTVS的反向关态电压范围：VRWM = 3.3-64 V (MMBZ)：VRWM = 8.5-26 V与SMA封装相比，高度降低50%符合AEC-Q101标准极低泄漏电流

Adreno 630配置了4个着色器核心（shader cores），通过硬连线加速逻辑来提升其性能，这种逻辑比可编程内核更为紧凑，因此可以在更小的面积上实现更高的性能。我们前面说到，面积更小，能效比更好，根据国外著名芯片级拆解机构TechInsightsAdreno的研究，Adreno? 630的芯片面积只有10.11平方毫米，优于市场上其他产品。

随着移动终端芯片制程工艺的进化、提高，对移动处理平台的玩家们在技术功底和资金投入方面的考验也越来越大，而高通凭借其在制程工艺、连接、GPU等方面的领先，无疑令其在后续的竞争中占据更多优势，也让人期待他们在下一代移动平台上面的表现。其实智能手机，或者说其他移动终端，性能过剩都是伪命题，硬件上不断突破，软件生态才能逐渐形成，两者互相促进的能量才能最大化释放。未来是万物互连，万物智能的时代，而高通提供的这系基础技术和产品，将成为这个时代不可或缺的“水电煤”。