DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 

动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

DRAM数据线3管动态RAM的基本存储电路所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

写操作时，写选择线为“1”，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

IO口全部引出，经典51小系统，省去焊接的麻烦

集成ISP 10P下载接口，方便下载AT89S52单片机。

焊接的是圆孔插座，方便更换晶振

支持芯片：STC89C52 STC12C5A60S2  STC11/10x系列  AT89S52及与上述芯片引脚兼容的芯片

一个电源开关，方便实验。

电源输入2种方式： DC-005电源座（配套座子是5.5*2.1）和单排针（电源开关旁边）

外扩3路VCC,GND,如图中排针所示。

P0口带上拉电阻。

复位方式：上电复位和外部按键复位。

采用绿色IC锁座，方便更换芯片。

自主开发生产，供货长期稳定。

板子尺寸：4.1cm*8.9cm

电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后(例如负电荷)，就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。

EEPROM基本存储单元电路的工作原理所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。

NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。

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