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系统和集成的座舱电子控制单元

发布时间:2020/11/1 22:43:06 访问次数:1371

Dolphin+QD(TCC8059)、Dolphin 3E(TCC8053)/ Dolphin 3M(TCC8050)和Dolphin 3H(TCC8060)等平台提供电源管理解决方案。此次进一步的合作建立在双方公司此前就Telechips Dolphin+ 汽车平台的合作基础之上,目标针对下一代功能安全的智能车载信息娱乐系统、仪表、抬头显示系统和集成的座舱电子控制单元(ECU)。

Dialog“完美匹配”的电源解决方案由DA9062-A系统主PMIC以及近期推出的DA9130-A和DA9131-A sub PMIC组成。这些高度集成的器件都经过AEC-Q100 Grade 2认证,提供总计21.5A的电流能力,助力最新的Telechips平台实现最优性能。

检测是指测量电芯的电压、电流和温度以及电池组的电压,然后将这些信号传给运算模块进行处理并发出指令。控制模块一般包括硬件、底层基础软件和应用层软件。其中最核心的部分是应用层软件。应用层软件一般分为两部分:电池状态的估算算法和故障诊断以及保护。

既然BMS不同模块的协同作用能保证动力电池的安全,为何新能源汽车电池失火事件仍频频发生,电池制造是主要原因,但BMS在不少情况下也有不可推卸的责任,比如只考虑电池的平均状况而不考虑每个电池的特殊情况,或是只考虑电池恒温时的状态,对温度的变化影响有所忽视。

推动BMS产业升级、增强动力电池的安全性迫在眉睫。在采访过程中记者了解到,动力电池实现跨越仍需突破三大障碍。首先,我国在BMS核心算法上与国外存在差距。在控制策略上,国内90%以上的厂家仍然使用安时积分法加开路电压计算充电状态。

基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆,不仅通态电阻(RDS(on))降低,还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛,包括马达驱动、SMPS(包括服务器、电信和OR-ing)和电池管理等等。

新封装概念将源极(而非传统的漏极)与导热垫相连。除了实现新的PCB布局,这还有助于实现更高的功率密度和性能。目前推出的两个型号占板面积不同,它们分别是:源极底置,标准门极布局的PQFN 3.3x3.3 mm封装;及源极底置,门极居中的PQFN 3.3x3.3 mm封装。

(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


Dolphin+QD(TCC8059)、Dolphin 3E(TCC8053)/ Dolphin 3M(TCC8050)和Dolphin 3H(TCC8060)等平台提供电源管理解决方案。此次进一步的合作建立在双方公司此前就Telechips Dolphin+ 汽车平台的合作基础之上,目标针对下一代功能安全的智能车载信息娱乐系统、仪表、抬头显示系统和集成的座舱电子控制单元(ECU)。

Dialog“完美匹配”的电源解决方案由DA9062-A系统主PMIC以及近期推出的DA9130-A和DA9131-A sub PMIC组成。这些高度集成的器件都经过AEC-Q100 Grade 2认证,提供总计21.5A的电流能力,助力最新的Telechips平台实现最优性能。

检测是指测量电芯的电压、电流和温度以及电池组的电压,然后将这些信号传给运算模块进行处理并发出指令。控制模块一般包括硬件、底层基础软件和应用层软件。其中最核心的部分是应用层软件。应用层软件一般分为两部分:电池状态的估算算法和故障诊断以及保护。

既然BMS不同模块的协同作用能保证动力电池的安全,为何新能源汽车电池失火事件仍频频发生,电池制造是主要原因,但BMS在不少情况下也有不可推卸的责任,比如只考虑电池的平均状况而不考虑每个电池的特殊情况,或是只考虑电池恒温时的状态,对温度的变化影响有所忽视。

推动BMS产业升级、增强动力电池的安全性迫在眉睫。在采访过程中记者了解到,动力电池实现跨越仍需突破三大障碍。首先,我国在BMS核心算法上与国外存在差距。在控制策略上,国内90%以上的厂家仍然使用安时积分法加开路电压计算充电状态。

基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆,不仅通态电阻(RDS(on))降低,还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛,包括马达驱动、SMPS(包括服务器、电信和OR-ing)和电池管理等等。

新封装概念将源极(而非传统的漏极)与导热垫相连。除了实现新的PCB布局,这还有助于实现更高的功率密度和性能。目前推出的两个型号占板面积不同,它们分别是:源极底置,标准门极布局的PQFN 3.3x3.3 mm封装;及源极底置,门极居中的PQFN 3.3x3.3 mm封装。

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