磁随机存储器(MRAM)利用磁隧道结(MTJ)器件的不同磁阻态来实现对数据的存储。MRAM不仅与现有的CMOS工艺兼容，还具有体积小、功耗低、访问速度快、非易失性、近无限次读/写操作和抗辐射能力强等优点,基于自旋转移矩单元的MRAM(STT-MRAM)已成为目前最具产业化前景的下一代新型非易失性存储器之一。

一种适用于该方案的改进型高速灵敏放大器，通过增加支路电压稳定电路来提升灵敏放大器的读取精度和存内位逻辑运算速度。使用中芯国际55 nm LL逻辑工艺库对该电路结构进行了电路前仿，并在输入输出电容、工艺角、不同磁阻方面与采用典型电流型灵敏放大器的电路进行了比较分析。

连接器类型：接头触头类型：公形引脚间距 - 配接：0.098"（2.50mm）针脚数：7排数：1加载的针脚数：全部样式：板至电缆/导线护罩：带遮蔽 - 4 墙安装类型：通孔，直角端接：焊接紧固类型：推挽式接触长度 - 配接：0.177"（4.50mm）接触长度 - 接线柱：0.142"（3.60mm）绝缘高度：0.224"（5.69mm）触头形状：方形触头表面处理 - 配接：锡触头表面处理厚度 - 配接：39.4μin（1.00μm）触头表面处理 - 柱：锡触头材料：黄铜绝缘材料：聚酰胺（PA），尼龙特性：键槽工作温度：-35°C ~ 85°C材料可燃性等级：UL94 V-0绝缘颜色：白色额定电压：150V无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

早期的方案通过在存储阵列内部或外部添加控制逻辑电路实现对数据的预处理来实现存内位逻辑运算。PATTERSON D等人随后提出了直接利用存储单元的外围电路(如灵敏放大器)实现存内位逻辑运算的方案，进一步减少了芯片的面积与功耗。

基于MRAM的存内位逻辑运算方案主要以1T1MTJ、2T2MTJ等典型存储阵列结构为核心。为了在每个运算单元中实现多种运算功能，附加的逻辑控制操作数也被引入2T2MTJ阵列中来实现位逻辑“与”、“或”、“与非”和“或非”的运算。

为了MRAM存储阵列实现高密度、高速率与高准确率的存内位逻辑运算，基于1T1MTJ存储阵列提出了一种改进型存内位逻辑计算方案，通过添加一组逻辑标记位实现多种位逻辑运算功能。

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