自旋转移矩磁随机存储器
发布时间:2020/10/31 22:11:48 访问次数:757
H桥电机驱动IC“TC78H660FNG”，且采用了TSSOP16封装和广泛使用的引脚分配。这是东芝直流有刷电机和步进电机驱动产品系列中的最新成员，适用于包括移动设备和家用电器在内的众多应用。
东芝的新一代DMOS工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V／2.0A[1]时实现低至0.48Ω的导通电阻，较东芝的现有产品发热更低。
新款驱动内置了用于驱动内部逻辑电路的稳压电源，可使用2.5V至16V的单电源来驱动电机。其应用范围广泛，其中包括由3.7V锂离子电池供电的移动设备、5V USB供电的设备以及由12V电压供电的家电系统设备。它也支持1.8V的低压接口。
特性：
单电源驱动，简单的PWM控制
导通电阻低，较东芝的现有产品发热更低（Ron＝0.48Ω（高侧＋低侧：典型值）@VM＝12V，Ta＝25℃）
电流消耗低（超低待机电流：0.1mA或更低@Ta＝25℃）
应用：
电池供电移动设备，包括机器人和玩具；家用电器，包括冰箱、智能电表等
标准包装：1类别：连接器，互连器件家庭：卡边缘连接器 - 边缘板连接器系列：-包装：管件卡类型：非指定 - 双边公母：母头位/盘/排数：43针脚数：86卡厚度：0.062"（1.57mm）排数：2间距：0.100"（2.54mm）特性：-安装类型：通孔端接：焊接触头材料：铜铍触头镀层：金触头镀层厚度：30μin（0.76μm）触头类型：全波纹管颜色：绿法兰特性：侧面安装开口，无螺纹，0.125"（3.18mm）直径材料 - 绝缘：聚苯硫醚（PPS）工作温度：-65°C ~ 150°C读数：双
在该领域产品多基于以上三方面开展。利用英飞凌公司的XC2000系列单元实现了对电动汽车行驶数据的采集，并构建了远程监控平台，实现对被测车辆的无线访问。基于飞思卡尔MC9S12XE单元实现对电动汽车电机、电池等数据的采集，实现了全车4G信号覆盖等功能。
基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)提出了一种改进型存内位逻辑计算方案。该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度，通过互补型读出电路增加了“与非”和“或非”的运算功能。
还通过增加支路电压稳定电路的方法，提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器。基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明，相较于传统的灵敏放大器，该方案不仅读取速度提升了33%，在适配大型存储阵列(CB≥0.8 pF)时还拥有更强的读取能力与更优的功率积(PDP)。
(素材来源：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
H桥电机驱动IC“TC78H660FNG”，且采用了TSSOP16封装和广泛使用的引脚分配。这是东芝直流有刷电机和步进电机驱动产品系列中的最新成员，适用于包括移动设备和家用电器在内的众多应用。
东芝的新一代DMOS工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V／2.0A[1]时实现低至0.48Ω的导通电阻，较东芝的现有产品发热更低。
新款驱动内置了用于驱动内部逻辑电路的稳压电源，可使用2.5V至16V的单电源来驱动电机。其应用范围广泛，其中包括由3.7V锂离子电池供电的移动设备、5V USB供电的设备以及由12V电压供电的家电系统设备。它也支持1.8V的低压接口。
特性：
单电源驱动，简单的PWM控制
导通电阻低，较东芝的现有产品发热更低（Ron＝0.48Ω（高侧＋低侧：典型值）@VM＝12V，Ta＝25℃）
电流消耗低（超低待机电流：0.1mA或更低@Ta＝25℃）
应用：
电池供电移动设备，包括机器人和玩具；家用电器，包括冰箱、智能电表等
标准包装：1类别：连接器，互连器件家庭：卡边缘连接器 - 边缘板连接器系列：-包装：管件卡类型：非指定 - 双边公母：母头位/盘/排数：43针脚数：86卡厚度：0.062"（1.57mm）排数：2间距：0.100"（2.54mm）特性：-安装类型：通孔端接：焊接触头材料：铜铍触头镀层：金触头镀层厚度：30μin（0.76μm）触头类型：全波纹管颜色：绿法兰特性：侧面安装开口，无螺纹，0.125"（3.18mm）直径材料 - 绝缘：聚苯硫醚（PPS）工作温度：-65°C ~ 150°C读数：双
在该领域产品多基于以上三方面开展。利用英飞凌公司的XC2000系列单元实现了对电动汽车行驶数据的采集，并构建了远程监控平台，实现对被测车辆的无线访问。基于飞思卡尔MC9S12XE单元实现对电动汽车电机、电池等数据的采集，实现了全车4G信号覆盖等功能。
基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)提出了一种改进型存内位逻辑计算方案。该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度，通过互补型读出电路增加了“与非”和“或非”的运算功能。
还通过增加支路电压稳定电路的方法，提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器。基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明，相较于传统的灵敏放大器，该方案不仅读取速度提升了33%，在适配大型存储阵列(CB≥0.8 pF)时还拥有更强的读取能力与更优的功率积(PDP)。
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