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浮动电极功率场效应晶体管驱动电路

发布时间:2020/10/31 12:12:47 访问次数:2183

PDP用荧光粉和荧光灯用荧光粉非常相似,PDP主要使用的荧光粉有Y2O3∶Eu红粉、(Gd,Y)BO3∶Eu红粉、Zn2SiO4∶Mn和BaAl12O19∶Mn绿粉以及BaMgAl14O23∶Eu和MgBaAl10O17∶Eu蓝粉。(Gd,Y)BO3∶Eu粉和BaAl12O19∶Mn粉的衰减时间偏长,Zn2SiO4∶Mn的衰减时间对实际应用而言就更长了,因此需研究开发新的发光材料。

荧光粉材料直接影响着PDP电视的发光效率和整机寿命。通常等离子电视的寿命指标是指亮度降到一半时的时间。目前新一代长寿命、高亮度的PDP专用荧光粉已经实现商品化。

增加电极间隙来提高PDP的亮度和发光效率是一项非常有效的措施,但电极间隙增大,所需的工作电压会随之提高。为解决这一问题,可在维持和扫描电极(X电极和Y电极)中间增加一个浮动电极F。


制造商: Texas Instruments


产品种类: 激光驱动器

RoHS: 详细信息

系列: ONET4291VA

数据速率: 4.25 Gb/s

工作电源电压: 2.9 V to 3.6 V

工作电源电流: 46 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装 / 箱体: QFN-20

封装: Reel

高度: 0.93 mm

长度: 4 mm

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

类型: Multirate VCSEL Driver

宽度: 4 mm

商标: Texas Instruments

安装风格: SMD/SMT

湿度敏感性: Yes

产品类型: Laser Drivers

工厂包装数量: 2500

子类别: Driver ICs

单位重量: 50 mg


MOS管的选型选择参数合适的功率场效应晶体管(MOSFET)可使驱动电路能够高效率、稳定地工作,且寿命满足要求。要求MOSFET的过渡要足够快,以便减少开关损耗;导通电阻足够小,以便减少导通损耗;关断电阻足够大,以便提高隔离作用。

漏源导通电阻Rds(on)、反向恢复时间trr、输入电容Ciss和栅极总电荷Qg需认真考虑。低的导通电阻有助于减少导通损耗,特别是与“能量回收电路”相关的MOS管,低的导通电阻有助于提高能量回收的效率,降低PDP的功耗。trr、Ciss、Qg影响MOSFET的开关速度,低的参数值能够加快MOSFET的转换过程,有助于减少MOSFET的开关损耗。

浮动电极在单元工作期间不加电压信号,但在单个维持电压脉冲期间,其上会产生一定的感应电势。




(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

PDP用荧光粉和荧光灯用荧光粉非常相似,PDP主要使用的荧光粉有Y2O3∶Eu红粉、(Gd,Y)BO3∶Eu红粉、Zn2SiO4∶Mn和BaAl12O19∶Mn绿粉以及BaMgAl14O23∶Eu和MgBaAl10O17∶Eu蓝粉。(Gd,Y)BO3∶Eu粉和BaAl12O19∶Mn粉的衰减时间偏长,Zn2SiO4∶Mn的衰减时间对实际应用而言就更长了,因此需研究开发新的发光材料。

荧光粉材料直接影响着PDP电视的发光效率和整机寿命。通常等离子电视的寿命指标是指亮度降到一半时的时间。目前新一代长寿命、高亮度的PDP专用荧光粉已经实现商品化。

增加电极间隙来提高PDP的亮度和发光效率是一项非常有效的措施,但电极间隙增大,所需的工作电压会随之提高。为解决这一问题,可在维持和扫描电极(X电极和Y电极)中间增加一个浮动电极F。


制造商: Texas Instruments


产品种类: 激光驱动器

RoHS: 详细信息

系列: ONET4291VA

数据速率: 4.25 Gb/s

工作电源电压: 2.9 V to 3.6 V

工作电源电流: 46 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装 / 箱体: QFN-20

封装: Reel

高度: 0.93 mm

长度: 4 mm

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

类型: Multirate VCSEL Driver

宽度: 4 mm

商标: Texas Instruments

安装风格: SMD/SMT

湿度敏感性: Yes

产品类型: Laser Drivers

工厂包装数量: 2500

子类别: Driver ICs

单位重量: 50 mg


MOS管的选型选择参数合适的功率场效应晶体管(MOSFET)可使驱动电路能够高效率、稳定地工作,且寿命满足要求。要求MOSFET的过渡要足够快,以便减少开关损耗;导通电阻足够小,以便减少导通损耗;关断电阻足够大,以便提高隔离作用。

漏源导通电阻Rds(on)、反向恢复时间trr、输入电容Ciss和栅极总电荷Qg需认真考虑。低的导通电阻有助于减少导通损耗,特别是与“能量回收电路”相关的MOS管,低的导通电阻有助于提高能量回收的效率,降低PDP的功耗。trr、Ciss、Qg影响MOSFET的开关速度,低的参数值能够加快MOSFET的转换过程,有助于减少MOSFET的开关损耗。

浮动电极在单元工作期间不加电压信号,但在单个维持电压脉冲期间,其上会产生一定的感应电势。




(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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