径向引线蓝色套筒绝缘的圆柱形铝外壳额定电压最高达63V

发布时间:2023/6/14 23:36:08 访问次数:53

新系列低阻抗、汽车级小型铝电解电容器--- 170 RVZ，纹波电流高达3.8A，可在+105°C高温下工作，105°C条件下使用寿命长达10,000小时。

与上一代解决方案相比，Vishay BCcomponents 170 RVZ系列电容器阻抗更低，纹波电流提高10%至15 %，设计人员可使用更少的元器件，从而提高设计灵活性并节省电路板空间。此外，器件符合AEC-Q200标准，从10 mm x 12 mm到18 mm x 40 mm，提供各种小型外形尺寸封装。

170 RVZ系列电容器采用径向引线，蓝色套筒绝缘的圆柱形铝外壳，额定电压最高达63V，容量为100 μF至6800μF，阻抗低。电容器具有防充放电功能。

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标准包装名称 PDIP

最高工作温度 125

元素输入 2-IN

最大高电平输出电流 -4.2(Min)

包装长度 19.69(Max)

最低工作电源电压 3

引脚数 14

包装高度 5.08(Max) - 0.51(Min)

最大低电平输出电流 4.2(Min)

封装 Tube

最大工作电源电压 18

铅形状 Through Hole

输入数 2

安装类型 Through Hole

输出 - 电流高，低 3.4mA, 3.4mA

逻辑类型 NAND Gate

电流 - 静态（最大） 4μA

供应商设备封装 14-PDIP

电压 - 电源 3 V ~ 18 V

最大传递延迟@ V ，最大CL 130ns @ 15V, 50pF

逻辑电平 - 高 3.6 V ~ 10.8 V

逻辑电平 - 低1.5 V 〜 4 V 0.9 V ~ 4 V

电路数 4

新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。

SiZ240DT中的两个TrenchFET®MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降压转换器的控制开关，10 V时最大导通电阻为8.05 mΩ，4.5 V时为12.25 mΩ。通道2 MOSFET，通常用作同步开关，10V时导通电阻为8.41 mΩ，4.5 V时为13.30 mΩ。