电阻串联分压采集精密电阻两端的电压
发布时间:2020/10/28 21:59:40 访问次数:1833
锂原电池均存在安全性差,有发生爆炸的危险。
钴酸锂的锂离子电池不能大电流放电,价格昂贵,安全性较差。
锂离子电池均需保护线路,防止电池被过充过放电。
生产要求条件高,成本高。
使用条件有限制,高低温使用危险大。
交通动力电源
电力储能电源
移动通信电源
新能源储能动力电
航天军工电源
磷酸铁锂电池、锂电池区别
磷酸铁锂电池和锂电池是不一样的。
磷酸铁锂电池是用来做锂离子二次电池的,现在主要方向是动力电池,相对NI-H,Ni-Cd电池有很大优势。
锂电池是一类由锂金属或锂合金为正极材料、使用非水电解质溶液的电池。锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高。
磷酸铁锂穿刺不起火不爆炸,锂电池会。
磷酸铁锂耐过充到100%都不会起火爆炸;锂电池达到规定数值就会析气鼓胀。
在设计产品时,能实现功能的方案可能有很多、芯片也有很多选择,主要从功能需求、物料成本、供应商关系、供应周期等一系列因素去综合考虑。题目是想用单片机来设计电压检测系统,单纯的从这一个单一的需求考虑,不会对单片机的选型造成困扰,因为单片机都能实现这个功能。
电压检测电路,从简单了讲就是通过多个电阻串联分压,用单片机采集精密电阻两端的电压然后根据比例关系计算所要采集的电压。只要单片机具有AD采样端口,那么这个功能都是可以实现。早期的51单片机没有AD功能,需要外挂一颗AD采样芯片。但是现在的51单片机也是具有AD采样功能的。所以,STM32和51单片机都能实现这个功能。

PIC单片机IO口的结构也比较复杂,每个IO由两个寄存器组成:IO口数据寄存器PORTx、和IO口方向寄存器TRISx。操作起来比AVR单片机简单一些,同样需要设置IO的方向,可以进行总线操作也可以进行位操作。下例的运行坏境为MPLAB IDE软件,器件为PIC16F877。
#i nclude
__CONFIG(0x3B32);
int main(void)
unsigned char pv;
//总线操作输出数据,以B口为例:
TRISB=0x00;//先设置B口的方向为输出方式(相应位设0为输出,设1为输入)
PORTB=0xaa;//赋值,B口输出数据0xaa
//总线操作读取数据,以B口为例:
TRISB=0xff;//先设置B口的方向为输入方式(相应位设0为输出,设1为输入)
pv=PORTB;//读取B口的数据放到pv变量
//位操作,以B口的第0位为例:
TRISB=0xfe;//先设置B口的第0位(RB0)的方向为输出方式(相应位设0为输出,设1为输入)
RB0=1;//B口的第0位输出高电平
RB0=0;//B口的第0位输出低电平
return 0;
经过比较这三种单片机IO口的操作,我们知道,51单片机IO口结构简单,操作简单,但没有高电平大电流驱动能力;AVR和PIC单片机IO 口结构复杂,操作麻烦,但具备高电平大电流驱动能力。换句话说,单片机的IO口的功能越强大结构越复杂操作越繁琐。

(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
锂原电池均存在安全性差,有发生爆炸的危险。
钴酸锂的锂离子电池不能大电流放电,价格昂贵,安全性较差。
锂离子电池均需保护线路,防止电池被过充过放电。
生产要求条件高,成本高。
使用条件有限制,高低温使用危险大。
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移动通信电源
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磷酸铁锂电池、锂电池区别
磷酸铁锂电池和锂电池是不一样的。
磷酸铁锂电池是用来做锂离子二次电池的,现在主要方向是动力电池,相对NI-H,Ni-Cd电池有很大优势。
锂电池是一类由锂金属或锂合金为正极材料、使用非水电解质溶液的电池。锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高。
磷酸铁锂穿刺不起火不爆炸,锂电池会。
磷酸铁锂耐过充到100%都不会起火爆炸;锂电池达到规定数值就会析气鼓胀。
在设计产品时,能实现功能的方案可能有很多、芯片也有很多选择,主要从功能需求、物料成本、供应商关系、供应周期等一系列因素去综合考虑。题目是想用单片机来设计电压检测系统,单纯的从这一个单一的需求考虑,不会对单片机的选型造成困扰,因为单片机都能实现这个功能。
电压检测电路,从简单了讲就是通过多个电阻串联分压,用单片机采集精密电阻两端的电压然后根据比例关系计算所要采集的电压。只要单片机具有AD采样端口,那么这个功能都是可以实现。早期的51单片机没有AD功能,需要外挂一颗AD采样芯片。但是现在的51单片机也是具有AD采样功能的。所以,STM32和51单片机都能实现这个功能。

PIC单片机IO口的结构也比较复杂,每个IO由两个寄存器组成:IO口数据寄存器PORTx、和IO口方向寄存器TRISx。操作起来比AVR单片机简单一些,同样需要设置IO的方向,可以进行总线操作也可以进行位操作。下例的运行坏境为MPLAB IDE软件,器件为PIC16F877。
#i nclude
__CONFIG(0x3B32);
int main(void)
unsigned char pv;
//总线操作输出数据,以B口为例:
TRISB=0x00;//先设置B口的方向为输出方式(相应位设0为输出,设1为输入)
PORTB=0xaa;//赋值,B口输出数据0xaa
//总线操作读取数据,以B口为例:
TRISB=0xff;//先设置B口的方向为输入方式(相应位设0为输出,设1为输入)
pv=PORTB;//读取B口的数据放到pv变量
//位操作,以B口的第0位为例:
TRISB=0xfe;//先设置B口的第0位(RB0)的方向为输出方式(相应位设0为输出,设1为输入)
RB0=1;//B口的第0位输出高电平
RB0=0;//B口的第0位输出低电平
return 0;
经过比较这三种单片机IO口的操作,我们知道,51单片机IO口结构简单,操作简单,但没有高电平大电流驱动能力;AVR和PIC单片机IO 口结构复杂,操作麻烦,但具备高电平大电流驱动能力。换句话说,单片机的IO口的功能越强大结构越复杂操作越繁琐。

(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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