LLC谐振拓扑内置浪涌电流限制过流和过压保护
发布时间:2023/5/15 23:25:51 访问次数:52
该系列有三种型号可选,提供60VDC、100VDC和200VDC的输出电压,最大3kW的额定输入范围为180-264VAC,最大5kW的输出范围为342-528VAC。
为了优化效率,当第二和第三路输出采用准谐振-反激拓扑时,主输出DC/DC变换器采用LLC谐振拓扑。
RBC300F由内置的浪涌电流限制、过流和过压保护。
HPT系列支持多个数字协议(包括PMBus、CANopen、MODBUS和SCPI)的I2C、RS232和RS485串行总线,为研发人员提供了灵活性。
多种应用,包括工业电子、技术、半导体制造和医疗以及用于紫外线固化和加热的大功率LED、老化设备、激光器、电机控制器、工业印刷(2D和3D)、电动汽车充电、测试和测量设备,电池模拟和医疗成像设备将受益于HPT5K0-L产品。
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
低压差稳压器 LM1117IMP-3.3
制造商: Texas Instruments
产品种类: 低压差稳压器
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
输出电压: 3.3 V
输出电流: 800 mA
输出端数量: 1 Output
极性: Positive
静态电流: 15 mA
最大输入电压: 15 V
输出类型: Fixed
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
回动电压: 1.2 V
系列: LM1117
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Texas Instruments
回动电压—最大值: 1.3 V at 100 mA, 1.35 V at 500 mA, 1.4 V at 800 mA
电压调节准确度: 1 %
Ib - 输入偏流: 5 mA
线路调整率: 1 mV
负载调节: 1 mV
产品类型: LDO Voltage Regulators
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 112 mg

这使得应用中的损耗大幅降低,尤其能使通常在中等开关频率下运行的工业驱动的损耗大大降低。IGBT T7技术的饱和电压(V CE(sat))很低,并带有发射极控制的第七代(EC7)二极管,该二极管的正向压降(V F)可减小150 mV,同时还能提高反向恢复软度。
TRENCHSTOP IGBT7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的最佳dv/dt和开关损耗。650V TRENCHSTOP IGBT7拥有应用所需的抗短路能力。此外,它还通过了基于JEDEC标准的HV-H3TRB(高压高湿高温反偏)试验,证明该器件在常见的工业应用的高湿环境中具有良好的耐用性。
该系列有三种型号可选,提供60VDC、100VDC和200VDC的输出电压,最大3kW的额定输入范围为180-264VAC,最大5kW的输出范围为342-528VAC。
为了优化效率,当第二和第三路输出采用准谐振-反激拓扑时,主输出DC/DC变换器采用LLC谐振拓扑。
RBC300F由内置的浪涌电流限制、过流和过压保护。
HPT系列支持多个数字协议(包括PMBus、CANopen、MODBUS和SCPI)的I2C、RS232和RS485串行总线,为研发人员提供了灵活性。
多种应用,包括工业电子、技术、半导体制造和医疗以及用于紫外线固化和加热的大功率LED、老化设备、激光器、电机控制器、工业印刷(2D和3D)、电动汽车充电、测试和测量设备,电池模拟和医疗成像设备将受益于HPT5K0-L产品。
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低压差稳压器 LM1117IMP-3.3
制造商: Texas Instruments
产品种类: 低压差稳压器
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
输出电压: 3.3 V
输出电流: 800 mA
输出端数量: 1 Output
极性: Positive
静态电流: 15 mA
最大输入电压: 15 V
输出类型: Fixed
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
回动电压: 1.2 V
系列: LM1117
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Texas Instruments
回动电压—最大值: 1.3 V at 100 mA, 1.35 V at 500 mA, 1.4 V at 800 mA
电压调节准确度: 1 %
Ib - 输入偏流: 5 mA
线路调整率: 1 mV
负载调节: 1 mV
产品类型: LDO Voltage Regulators
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 112 mg

这使得应用中的损耗大幅降低,尤其能使通常在中等开关频率下运行的工业驱动的损耗大大降低。IGBT T7技术的饱和电压(V CE(sat))很低,并带有发射极控制的第七代(EC7)二极管,该二极管的正向压降(V F)可减小150 mV,同时还能提高反向恢复软度。
TRENCHSTOP IGBT7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的最佳dv/dt和开关损耗。650V TRENCHSTOP IGBT7拥有应用所需的抗短路能力。此外,它还通过了基于JEDEC标准的HV-H3TRB(高压高湿高温反偏)试验,证明该器件在常见的工业应用的高湿环境中具有良好的耐用性。
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