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单片式开关稳压器电流随开关切换

发布时间:2020/10/25 22:55:21 访问次数:653

开关稳压器可以采用单片结构,也可以通过控制器构建。在单片式开关稳压器中,各功率开关(一般是MOSFET)会集成在单个硅芯片中。使用控制器构建时,除了控制器IC,还必须单独选择半导体和确定其位置。选择MOSFET非常耗费时间,且需要对开关的参数有一定了解。使用单片式设计时,设计人员无需处理这些问题。

相比高度集成的解决方案,控制器解决方案通常会占用更多的电路板空间。所以,毫不意外多年来人们越来越多地采用单片式开关稳压器,如今,即使对于更高功率,ADI公司也有大量的解决方案可供选择。左侧是单片式降压转换器,右侧是控制器解决方案。

单片式解决方案需要的空间较少,也简化了设计流程,但另一方面,控制器解决方案的优势是更加灵活。

系列产品:TPD1E05U06DPYR C02-集成电路(IC) TI

LM317DCYR C02-集成电路(IC) TI

B32776G5456K000 C23-电容器 EPCOS

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GRM155R71C104KA88D C23-电容器 MURATA

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BTA26-600BRG C01-电子元件 STMICROELECTRONICS

154717-3 C32-端子 TE

REF3312AIDBZR C02-集成电路(IC) TI

LM319MX/NOPB C02-集成电路(IC) TI

794772-2 C40-附件 TE

TJA1021T/20/CM C02-集成电路(IC) NXP

1717888-1 C33-外壳 TE


电流路径,其中的电流随开关切换的速度而变化。通过快速的电流变化,因寄生电感形成电压偏移,可以作为干扰耦合到不同的电路部分。

热回路中的寄生电感必须保持尽可能低。用红色标出各热回路路径,左侧为单片式开关稳压器,右侧为控制器解决方案。

单片式解决方案具有两大优势。

其热回路比控制器解决方案的热回路小。

高压侧开关和低压侧开关之间的连接路径非常短,且只在硅芯片上完成走线。两者相比,对于带控制器IC的解决方案,连接的电流路径必须通过封装的寄生电感布线,通常采用的键合线和引线框架具有寄生电感。这会导致更高的电压偏置,以及更差的EMC性能。

(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

开关稳压器可以采用单片结构,也可以通过控制器构建。在单片式开关稳压器中,各功率开关(一般是MOSFET)会集成在单个硅芯片中。使用控制器构建时,除了控制器IC,还必须单独选择半导体和确定其位置。选择MOSFET非常耗费时间,且需要对开关的参数有一定了解。使用单片式设计时,设计人员无需处理这些问题。

相比高度集成的解决方案,控制器解决方案通常会占用更多的电路板空间。所以,毫不意外多年来人们越来越多地采用单片式开关稳压器,如今,即使对于更高功率,ADI公司也有大量的解决方案可供选择。左侧是单片式降压转换器,右侧是控制器解决方案。

单片式解决方案需要的空间较少,也简化了设计流程,但另一方面,控制器解决方案的优势是更加灵活。

系列产品:TPD1E05U06DPYR C02-集成电路(IC) TI

LM317DCYR C02-集成电路(IC) TI

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电流路径,其中的电流随开关切换的速度而变化。通过快速的电流变化,因寄生电感形成电压偏移,可以作为干扰耦合到不同的电路部分。

热回路中的寄生电感必须保持尽可能低。用红色标出各热回路路径,左侧为单片式开关稳压器,右侧为控制器解决方案。

单片式解决方案具有两大优势。

其热回路比控制器解决方案的热回路小。

高压侧开关和低压侧开关之间的连接路径非常短,且只在硅芯片上完成走线。两者相比,对于带控制器IC的解决方案,连接的电流路径必须通过封装的寄生电感布线,通常采用的键合线和引线框架具有寄生电感。这会导致更高的电压偏置,以及更差的EMC性能。

(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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