隔离变压器的负载防振荡
发布时间:2020/10/25 11:02:35 访问次数:1762
电路存在的缺点:一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡,故电路损耗较大;二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时,由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。
mos管开关电路有隔离变压器的互补驱动电路如图10所示,V1、V2为互补工作,电容C起隔离直流的作用,T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
导通时隔离变压器上的电压为(1-D)Ui、关断时为DUi,若主功率管S可靠导通电压为12V,而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[(1-D)Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点:
电路结构简单可靠,具有电气隔离作用。当脉宽变化时,驱动的关断能力不会随着变化。
电路只需一个电源,即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压,从而加速了功率管的关断,且有较高的抗干扰能力。
制造商:Texas Instruments产品种类:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSCRoHS: 详细信息商标:Texas Instruments核心:ARM926EJ-S RISC最大时钟频率:200 MHz程序存储器大小:64 kB数据 RAM 大小:128 kB工作电源电压:1.8 V最大工作温度:+ 90 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:nFBGA-361数据总线宽度:32 bit说明书类型:Fixed/Floating Point最小工作温度:- 40 C计时器/计数器数量:3 Timer封装:Tray产品:DSPs系列:OMAP-L132工厂包装数量:90商标名:OMAP
R120的接地,该电阻能将栅极电压稳定地拉低,确保PMOS的正常开启,这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。D9和D10的作用在于防止电压的倒灌。D9可以省略。这里要注意到实际上该电路的DS接反,这样由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到.
控制信号PGC控制V4.2是否给P_GPRS供电。此电路中,源漏两端没有接反,R110与R113存在的意义在于R110控制栅极电流不至于过大,R113控制栅极的常态,将R113上拉为高,截至PMOS,同时也可以看作是对控制信号的上拉,当MCU内部管脚并没有上拉时,即输出为开漏时,并不能驱动PMOS关闭,此时,就需要外部电压给予的上拉,所以电阻R113起到了两个作用。R110可以更小,到100欧姆也可。
(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
电路存在的缺点:一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡,故电路损耗较大;二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时,由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。
mos管开关电路有隔离变压器的互补驱动电路如图10所示,V1、V2为互补工作,电容C起隔离直流的作用,T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
导通时隔离变压器上的电压为(1-D)Ui、关断时为DUi,若主功率管S可靠导通电压为12V,而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[(1-D)Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点:
电路结构简单可靠,具有电气隔离作用。当脉宽变化时,驱动的关断能力不会随着变化。
电路只需一个电源,即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压,从而加速了功率管的关断,且有较高的抗干扰能力。
制造商:Texas Instruments产品种类:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSCRoHS: 详细信息商标:Texas Instruments核心:ARM926EJ-S RISC最大时钟频率:200 MHz程序存储器大小:64 kB数据 RAM 大小:128 kB工作电源电压:1.8 V最大工作温度:+ 90 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:nFBGA-361数据总线宽度:32 bit说明书类型:Fixed/Floating Point最小工作温度:- 40 C计时器/计数器数量:3 Timer封装:Tray产品:DSPs系列:OMAP-L132工厂包装数量:90商标名:OMAP
R120的接地,该电阻能将栅极电压稳定地拉低,确保PMOS的正常开启,这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。D9和D10的作用在于防止电压的倒灌。D9可以省略。这里要注意到实际上该电路的DS接反,这样由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到.
控制信号PGC控制V4.2是否给P_GPRS供电。此电路中,源漏两端没有接反,R110与R113存在的意义在于R110控制栅极电流不至于过大,R113控制栅极的常态,将R113上拉为高,截至PMOS,同时也可以看作是对控制信号的上拉,当MCU内部管脚并没有上拉时,即输出为开漏时,并不能驱动PMOS关闭,此时,就需要外部电压给予的上拉,所以电阻R113起到了两个作用。R110可以更小,到100欧姆也可。
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