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模块采用可改善热性能的AlN基板其外壳能承受+80°C的温度

发布时间:2023/2/16 20:58:35 访问次数:256


Wi-Fi单片机模块。该模块采用Microchip的Trust&Go技术,能实现独特的身份验证功能。

对于设计安全的工业物联网系统的开发人员来说,Microchip高度集成的WFI32E01PC是一款为云平台预设置,支持Trust&Go安全平台的Wi-Fi 单片机模块。该模块符合Wi-Fi联盟(WFA)规范,并获得美国联邦通信委员会(FCC),加拿大工业部(IC)和欧洲无线电设备指令(RED)三家世界级监管机构的全面认证。Microchip WFI32E01PC内部的Trust&Go平台采用安全元件技术,为云身份验证进行预先配置和设置,简化了网络身份验证的过程。

与现有设备不同,Microchip的新技术包括顶尖的PIC32 单片机内核、丰富的外设支持和成熟的硬件安全平台。新技术不仅能提供Wi-Fi,还能充当整个工业互联网系统的强大单片机内核。


STM32外部中断相关的寄存器

1.初始化GPIO时要用到如下寄存器:

APB2ENR:开启GPIO时钟和复用时钟;

CRH:端口配置高寄存器;

CRL:端口配置低寄存器;

EXTICR[0]-EXTICR[3]:外部中断配置寄存器

IMR:中断屏蔽寄存器;

EMR:事件屏蔽寄存器;

FTSR:下降沿触发选择寄存器;

RTSR:上升沿触发选择寄存器

ISER[0]-ISER[3]:NVIC中断向量控制器;

Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。此高度集成的紧凑型功率模块由碳化硅 (SiC) MOSFET和SiC二极管构成,将这两种器件的优势集成到了一个解决方案之中。AgileSwitch模块支持一系列电源应用,包括电动汽车/混合动力汽车 (EV/HEV) 动力传动和动能回收系统、医疗电源、飞机驱动系统、发电系统以及光伏/太阳能/风能转换器。

Microchip相臂SiC MOSFET功率模块采用超低电感的SP6LI封装,让设计人员能够使用较少的并联模块来实现完整的系统。1200V模块采用SiC功率MOSFET,具有低RDS(on)和耐呶滦阅堋4四?榈腟iC肖特基二极管具有零正向恢复、零反向恢复、不受温度影响的开关特性,以及易于驱动的开尔文源极引脚。

模块采用可改善热性能的AlN基板,其外壳能承受+80°C的温度。SP6LI功率模块可用于国防、汽车、医疗和工业等应用中的开关电源和电机控制。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

深圳市金思得科技有限公司 http://jinside.51dzw.com/



Wi-Fi单片机模块。该模块采用Microchip的Trust&Go技术,能实现独特的身份验证功能。

对于设计安全的工业物联网系统的开发人员来说,Microchip高度集成的WFI32E01PC是一款为云平台预设置,支持Trust&Go安全平台的Wi-Fi 单片机模块。该模块符合Wi-Fi联盟(WFA)规范,并获得美国联邦通信委员会(FCC),加拿大工业部(IC)和欧洲无线电设备指令(RED)三家世界级监管机构的全面认证。Microchip WFI32E01PC内部的Trust&Go平台采用安全元件技术,为云身份验证进行预先配置和设置,简化了网络身份验证的过程。

与现有设备不同,Microchip的新技术包括顶尖的PIC32 单片机内核、丰富的外设支持和成熟的硬件安全平台。新技术不仅能提供Wi-Fi,还能充当整个工业互联网系统的强大单片机内核。


STM32外部中断相关的寄存器

1.初始化GPIO时要用到如下寄存器:

APB2ENR:开启GPIO时钟和复用时钟;

CRH:端口配置高寄存器;

CRL:端口配置低寄存器;

EXTICR[0]-EXTICR[3]:外部中断配置寄存器

IMR:中断屏蔽寄存器;

EMR:事件屏蔽寄存器;

FTSR:下降沿触发选择寄存器;

RTSR:上升沿触发选择寄存器

ISER[0]-ISER[3]:NVIC中断向量控制器;

Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。此高度集成的紧凑型功率模块由碳化硅 (SiC) MOSFET和SiC二极管构成,将这两种器件的优势集成到了一个解决方案之中。AgileSwitch模块支持一系列电源应用,包括电动汽车/混合动力汽车 (EV/HEV) 动力传动和动能回收系统、医疗电源、飞机驱动系统、发电系统以及光伏/太阳能/风能转换器。

Microchip相臂SiC MOSFET功率模块采用超低电感的SP6LI封装,让设计人员能够使用较少的并联模块来实现完整的系统。1200V模块采用SiC功率MOSFET,具有低RDS(on)和耐呶滦阅堋4四?榈腟iC肖特基二极管具有零正向恢复、零反向恢复、不受温度影响的开关特性,以及易于驱动的开尔文源极引脚。

模块采用可改善热性能的AlN基板,其外壳能承受+80°C的温度。SP6LI功率模块可用于国防、汽车、医疗和工业等应用中的开关电源和电机控制。


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