超薄封装能缩短积体电路的讯号传输路径
发布时间:2020/10/17 23:23:59 访问次数:1942
IMG BXS:面向未来的汽车GPU——BXS系列是符合ISO 26262标准的GPU,这使其成为迄今为止所开发的最先进的汽车GPU IP内核。BXS提供了一个完整的产品系列,从入门级到高级的产品,可为下一代人机界面(HMI)、UI显示、信息娱乐系统、数字驾舱、环绕视图提供解决方案,再到高计算能力的配置,则可支持自动驾驶和ADAS。
有了3D整合方案,晶粒间的讯号传输路径将大为缩短,可加快数据传送速度和能源效益。三星宣称,X-Cube可用于7纳米和5纳米制程。
韩国时报13 日报导,封装是晶圆生产的重要环节,过去几年来,三星强化封装技术,超薄封装能缩短积体电路的讯号传输路径,加快传递速度、提升能源效益。三星将在16~18 日的Hot Chips 峰会,公布更多X-Cube 的细节。

制造商: Texas Instruments产品种类: 运算放大器 - 运放RoHS: 详细信息安装风格: SMD/SMT封装 / 箱体: TSSOP-8通道数量: 2 Channel电源电压-最大: 32 VGBP-增益带宽产品: 700 kHz每个通道的输出电流: 30 mASR - 转换速率 : 0.3 V/usVos - 输入偏置电压 : 3 mV电源电压-最小: 3 V最小工作温度: 0 C最大工作温度: + 70 CIb - 输入偏流: 100 nA工作电源电流: 350 uA关闭: No ShutdownCMRR - 共模抑制比: 65 dB to 80 dBen - 输入电压噪声密度: 40 nV/sqrt Hz系列: LM358A封装: Tube放大器类型: High Gain Amplifier特点: Standard Amps高度: 1.15 mm输入类型: Rail-to-Rail长度: 3 mm产品: Operational Amplifiers电源类型: Single, Dual技术: Bipolar宽度: 4.4 mm商标: Texas Instruments双重电源电压: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V最大双重电源电压: +/- 16 V最小双重电源电压: +/- 1.5 V工作电源电压: 3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers工厂包装数量: 150子类别: Amplifier ICsVcm - 共模电压: Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V电压增益 dB: 100 dB单位重量: 39 mg
三星电子成功研发3D 晶圆封装技术「X-Cube」,宣称此种垂直堆叠的封装方法,可用于7 纳米制程,能提高晶圆代工能力,要借此和业界领袖台积电一较高下。
三星官网13日新闻稿称,三星3D IC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV),能让速度和能效大跃进,以协助解决新一代应用程式严苛的表现需求,如5G、人工智能(AI)、高性能运算、移动和可穿戴装置等。
三星的新3D 整合技术,确保TSV 在先进的极紫外光(EUV)制程节点时,也能稳定联通」。有了X-Cube,IC 设计师打造符合自身需求的客制化解决方案时,将有更多弹性。X-Cube 的测试芯片,以7 纳米制程为基础,使用TSV 技术在逻辑晶粒(logic die)堆叠SRAM,可释放更多空间、塞入更多存储器。
(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
IMG BXS:面向未来的汽车GPU——BXS系列是符合ISO 26262标准的GPU,这使其成为迄今为止所开发的最先进的汽车GPU IP内核。BXS提供了一个完整的产品系列,从入门级到高级的产品,可为下一代人机界面(HMI)、UI显示、信息娱乐系统、数字驾舱、环绕视图提供解决方案,再到高计算能力的配置,则可支持自动驾驶和ADAS。
有了3D整合方案,晶粒间的讯号传输路径将大为缩短,可加快数据传送速度和能源效益。三星宣称,X-Cube可用于7纳米和5纳米制程。
韩国时报13 日报导,封装是晶圆生产的重要环节,过去几年来,三星强化封装技术,超薄封装能缩短积体电路的讯号传输路径,加快传递速度、提升能源效益。三星将在16~18 日的Hot Chips 峰会,公布更多X-Cube 的细节。

制造商: Texas Instruments产品种类: 运算放大器 - 运放RoHS: 详细信息安装风格: SMD/SMT封装 / 箱体: TSSOP-8通道数量: 2 Channel电源电压-最大: 32 VGBP-增益带宽产品: 700 kHz每个通道的输出电流: 30 mASR - 转换速率 : 0.3 V/usVos - 输入偏置电压 : 3 mV电源电压-最小: 3 V最小工作温度: 0 C最大工作温度: + 70 CIb - 输入偏流: 100 nA工作电源电流: 350 uA关闭: No ShutdownCMRR - 共模抑制比: 65 dB to 80 dBen - 输入电压噪声密度: 40 nV/sqrt Hz系列: LM358A封装: Tube放大器类型: High Gain Amplifier特点: Standard Amps高度: 1.15 mm输入类型: Rail-to-Rail长度: 3 mm产品: Operational Amplifiers电源类型: Single, Dual技术: Bipolar宽度: 4.4 mm商标: Texas Instruments双重电源电压: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V最大双重电源电压: +/- 16 V最小双重电源电压: +/- 1.5 V工作电源电压: 3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers工厂包装数量: 150子类别: Amplifier ICsVcm - 共模电压: Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V电压增益 dB: 100 dB单位重量: 39 mg
三星电子成功研发3D 晶圆封装技术「X-Cube」,宣称此种垂直堆叠的封装方法,可用于7 纳米制程,能提高晶圆代工能力,要借此和业界领袖台积电一较高下。
三星官网13日新闻稿称,三星3D IC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV),能让速度和能效大跃进,以协助解决新一代应用程式严苛的表现需求,如5G、人工智能(AI)、高性能运算、移动和可穿戴装置等。
三星的新3D 整合技术,确保TSV 在先进的极紫外光(EUV)制程节点时,也能稳定联通」。有了X-Cube,IC 设计师打造符合自身需求的客制化解决方案时,将有更多弹性。X-Cube 的测试芯片,以7 纳米制程为基础,使用TSV 技术在逻辑晶粒(logic die)堆叠SRAM,可释放更多空间、塞入更多存储器。
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