TP4056智能温度控制TP4056内部集成了智能温度控制功能，当芯片温度高于125℃时,会自动减小充电电流。 该功能允许用户提高给定电路板功率处理能力的上限而没有损坏  TP4056  的风险。在保证充电器将在最坏情况条件下自动减小电流的前提下，可根据典型（而不是最坏情况）环境温度来设定充电电流。

在电路板设计中，频率的增加会对信号完整性产生许多不良影响--特别是增加噪声和衰减的影响。噪声关于噪声，首先要考虑的是，随着系统频率的增加，信号反射变得越来越重要。根据传输线理论，反射与传输线长度与信号波长之比直接相关。

信号波长随着频率的增加而减小（λ= v / f）。随着5G引入更高的频率，设计人员还必须考虑信号反射的影响，例如振铃或其他失真，这会在系统中引起更多噪声并有效降低SNR。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，能够满足客户对不同供电电压的需求；同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

GD5F4GM5系列产品特性

兼容1.8V/3.3V供电电压

支持4KB Cache随机读取

四通道SPI接口，Quad IO数据吞吐量可达480Mbit/s

内置8bit ECC纠错技术

支持标准WSON8、TFBGA24封装

支持工业级-40~85℃温度范围

电容和电感耦合此外，由于电容和电感分别与电压和电流的变化率相关，因此电容耦合和电感耦合的影响变得更加相关 。这也会产生噪声和失真，从而降低SNR。衰减与集肤效应关于衰减，一个重要的考虑因素是所谓的集肤效应。实质上表明，随着信号频率的增加，信号在导体内的穿透深度会减小。

24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，兼顾容量和性能的提升，更好地服务于代码存储领域，致力于为5G、物联网、网通、安防，以及包括可穿戴式设备在内的消费类应用场景提供大容量、具备成本优势的解决方案。

GD5F4GM5系列已全面量产，代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准。该产品采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，在集成了存储阵列和控制器的同时，还带有内部ECC纠错算法，擦写次数可达5万次，提高可靠性的同时延长产品使用寿命。

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