NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，扩充了智能功率模块（IPM）产品阵容，包括额定电压650 V和1200 V，以及额定电流10 A至75 A。

三相逆变器集成了额定短路的沟槽型绝缘门双极晶体管（Trench IGBT）、快速恢复二极管、门极驱动器、自举电路、可选的NTC热敏电阻和保护，通过一个额定2500 Vrms /分钟的隔离提供紧凑可靠的模块，获UL1557认证。这些IPM具有直接键合铜基板和低损耗硅的特性，延长功率循环寿命和散热能力。

通过片上电流隔离，NCD57000和NCD57001 IGBT门极驱动器透过减低系统复杂性实现紧凑、高效和可靠的门极驱动器设计。这些器件分别提供4 A/6 A供应电流和汲取电流，同时还集成了去饱和(DESAT)、米勒钳位、欠压锁定（UVLO）保护、使能（Enable）和稳压VREF。

智慧城市已经从概念逐渐走向落地，很多全球顶尖的城市已经在推行，这是一大趋势。人们都希望城市和出行更加智能、高效、安全，ST会通过半导体解决方案及合作伙伴实现这个目标。

在工业应用场景里面，电子系统正在变得越来越智能，工厂的生产线也会变得智能，如功率、能源等都是智能的，利用ST创新的技术可以为工业设备厂商节省成本。

全球工业电机装机量达到3亿台，并且每年都保持约10％的增幅，电机用电量占总用电量近30％，因此，降低电机功耗的必要性变得越来越重要。如氮化镓和碳化硅提升电力能源的转化效率，ST推出工业用第二代碳化硅650V ／ 1200V MOSFET，该产品内置嵌入式体二极管，即使在高温条件下，开关损耗和功率也能保持极低的损耗，有助于工业设备降低功耗，缩减体积，降低重量。

在电力和能源管理领域，ST提供几瓦到千瓦级的解决方案，我们的技术可以得到高度集成，为客户带来智能化、连接性的解决方案，可以实现硅在高低压及不同材料应用上的正常使用。

当客户在进行功率控制时，ST能够将不同微控制器、BCD和高压MOSFET有效地组合在一起，带来完整的、高集成度的解决方案。

随着智能技术的发展，传感器也需要更加智能。为了提升传感器的精度和处理能力。ST传感器通过数据搜集形成了自有的算法，我们的MEMS传感器已经可以做到运动、振动、角速度、温度、湿度等的控制和校准，目前在可穿戴式设备上应用广泛。

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