单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓（GaN）晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管，而ST决定增加一颗GaN，实现半桥配置，并允许将MASTERGAN1用于新拓扑。

在设计AC-DC变换系统时，工程师可以将其用于LLC谐振变换器。新器件还将适用于其它常见的高能效和高端拓扑，例如，有源钳位反激或正激变换器，还解决了更高额定功率和图腾柱PFC的设计问题。

新器件具有高度象征意义，因为它让GaN晶体管在大众化的产品中普及变得更容易。电信设备或数据中心的电源是最早使用这些功率器件的工业应用。

现在有了MASTERGAN1，工程师可以设计能效更高的手机超级快充充电器、USB-PD适配器和其它电源产品。

制造商: Maxim Integrated

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: 详细信息

类型: High Side

输出端数量: 1 Output

电流限制: 135 mA to 1.9 A

导通电阻—最大值: 240 mOhms

工作电源电压: 10 V to 40 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TQFN-16

系列: MAX14914

封装: Tube

产品: Power Switches

商标: Maxim Integrated

开发套件: MAX14914EVKIT#

Pd-功率耗散: 2.28 W

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 490

子类别: Switch ICs

电源电压-最大: 40 V

电源电压-最小: 10 V

高带隙是支撑这些特性的根基，高带隙的根源是GaN的分子结构。镓本身是一个导电性非常差的导体。但是，当氮原子打乱镓晶格时，结构电子迁移率大幅提高(1,700 cm2/Vs)，电子的运动速率更高，而能量损耗更低。

当开关频率高于200 kHz时，使用GaN的应用的能效更高。GaN可以使系统更小巧，更经济划算。

虽然GaN晶体管并不是什么新鲜事物，但在量产电源中使用它仍然是特立独行。用EVALMASTERGAN1板展示GaN和MASTERGAN1的功能简单很多。

演示一个实物平台会使项目方案变得更切实可行，并能看到单封装放在电源中是什么样子，甚至还可以按照自己的需求灵活修改板子，添加一个低边分压电阻或一个外部自举二极管，使其更接近最终设计。演示支持各种电源电压也变得更加容易。

还可以使用MASTERGAN1的所有引脚，帮助开发人员及早测试应用设计。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）