布线负载容量振荡高转换速率
发布时间:2020/10/13 21:40:18 访问次数:1159
该产品收到了众多领域和地区包括客户和其他领域技术人员在内的广泛反响,因此,为满足市场需求,此次又推出了双通道的新产品。
“BD77502FVM”是一款新产品,具有抗EMI性能*2(以下称“抗噪声性能”)非常出色、支持高速放大(10V/μs的高转换速率),同时不会因布线等负载容量而振荡等特点,并且内置两路(2ch)已获得高度好评的高速运算放大器。
由于具备出色的抗噪声性能,因此不仅可将各噪声频段的输出电压波动控制在±20mV以内(普通产品的1/10),而且在受负载容量影响容易产生振荡的高速型运算放大器中也不会发生振荡,可稳定工作。
2EDN752x/2EDN852x系列产品是先进的双路氮化镓驱动器,具有比硅器件有明显的优越性,特别是它的更高的临界电场是使得氮化镓对功率半导体器件具有非常大的吸引力.和Si MOSFET相比,它的动态开态电阻和更小的电容值.
GaN HEMT晶体管具有更高的开关速度,更高的工作频率,提高了功率密度和整个系统的效率.2EDN752x/2EDN852x系列适合于驱动逻辑和正常电平MOSFET,支持OptiMOSTM, CoolMOSTM,标准电平MOSFET,超级结MOSFET以及IGBT和GaN功率器件.控制和使能输入是LV-TTL兼容(CMOS 3.3V),输入电压从-5V到+20V.
真正轨到轨级,两个输出的每一输出的沉和源电流是5A.通路到通路间传输时延为1ns,非常适合两路并联使用.主要用在服务器开关电源,通信开关电源,DC/DC转换器,砖形电源,电动工具,工业开关电源,马达控制和太阳能开关电源.
器件包括KSZ8081以太网PHY系列,MCP2542WFDCAN收发器系列,传感器和包括蓝牙®低功耗(BLE)、远程(LoRa)和IEEE®802.15.4在内的无线技术等。Microchip的系统解决方案方法提供即时可用的软件驱动程序和硬件参考设计,能显著降低项目风险,缩短产品上市时间。
DS12c887是美国DALLAS公司推出的一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路,它可以对年、月、日、周日、时、分、秒进行计时,具有闰年补偿功能,工作电压为2.5V~5.5V。采用三线接口与CPU进行,并可采用突发方式一次传送多个的或RAM数据。DS12c887内部有一个31×8的用于临时性存放数据的RAM。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
该产品收到了众多领域和地区包括客户和其他领域技术人员在内的广泛反响,因此,为满足市场需求,此次又推出了双通道的新产品。
“BD77502FVM”是一款新产品,具有抗EMI性能*2(以下称“抗噪声性能”)非常出色、支持高速放大(10V/μs的高转换速率),同时不会因布线等负载容量而振荡等特点,并且内置两路(2ch)已获得高度好评的高速运算放大器。
由于具备出色的抗噪声性能,因此不仅可将各噪声频段的输出电压波动控制在±20mV以内(普通产品的1/10),而且在受负载容量影响容易产生振荡的高速型运算放大器中也不会发生振荡,可稳定工作。
2EDN752x/2EDN852x系列产品是先进的双路氮化镓驱动器,具有比硅器件有明显的优越性,特别是它的更高的临界电场是使得氮化镓对功率半导体器件具有非常大的吸引力.和Si MOSFET相比,它的动态开态电阻和更小的电容值.
GaN HEMT晶体管具有更高的开关速度,更高的工作频率,提高了功率密度和整个系统的效率.2EDN752x/2EDN852x系列适合于驱动逻辑和正常电平MOSFET,支持OptiMOSTM, CoolMOSTM,标准电平MOSFET,超级结MOSFET以及IGBT和GaN功率器件.控制和使能输入是LV-TTL兼容(CMOS 3.3V),输入电压从-5V到+20V.
真正轨到轨级,两个输出的每一输出的沉和源电流是5A.通路到通路间传输时延为1ns,非常适合两路并联使用.主要用在服务器开关电源,通信开关电源,DC/DC转换器,砖形电源,电动工具,工业开关电源,马达控制和太阳能开关电源.
器件包括KSZ8081以太网PHY系列,MCP2542WFDCAN收发器系列,传感器和包括蓝牙®低功耗(BLE)、远程(LoRa)和IEEE®802.15.4在内的无线技术等。Microchip的系统解决方案方法提供即时可用的软件驱动程序和硬件参考设计,能显著降低项目风险,缩短产品上市时间。
DS12c887是美国DALLAS公司推出的一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路,它可以对年、月、日、周日、时、分、秒进行计时,具有闰年补偿功能,工作电压为2.5V~5.5V。采用三线接口与CPU进行,并可采用突发方式一次传送多个的或RAM数据。DS12c887内部有一个31×8的用于临时性存放数据的RAM。
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