ISOdriver则通过将隔离器及驱动器集成至单芯片中，将外部物料清单精简至只需三个电容器及一个二极管，这让隔离型高侧/低侧 (high-side/low-side) 或是双低侧 (dual low-side) 驱动器解决方案仅占200平方毫米的面积。

相较于以光耦合器为基础的解决方案，Si823x ISOdriver系列能提供许多性能上的改善。例如通过唯一隔离型/高侧/低侧的4安培驱动器，ISOdriver系列能显著地改善MOSFET的开关次数，而减少FET开关周期的功耗则能让供电更有效率。

通过避免使高侧和低侧MOSFET在同一时间启动，则可有效改善集成型重叠防护的效率。传统光学隔离器解决方案的传递延迟可能高达数百纳秒或甚至更久，ISOdriver的传递延迟则缩短许多，最多只有50纳秒，如此能增加时序容限并改善操纵性，以提供更佳的整体性能和稳定性。

制造商: Texas Instruments产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: WSON-FET-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 5 A

Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V

Qg-栅极电荷: 2.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.3 W

资格: AEC-Q101

商标名: NexFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 0.75 mm

长度: 2 mm

系列: CSD17313Q2Q1

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 2 mm

商标: Texas Instruments

正向跨导 - 最小值: 16 S

下降时间: 1.3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.9 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 4.2 ns

典型接通延迟时间: 2.8 ns

单位重量: 8.700 mg

由于ISOdriver是基于CMOS进行设计，因此并不会像光学耦合器解决方案会随着时间和温度改变而产生性能不稳的状况。ISOdriver基于CMOS的独特设计还提供其它的好处，例如能提供更高精度的产品间变异，以避免在系统组装后还必需要进行工厂筛检或是分级。

除了性能、集成度和稳定性等优点外，Si823x系列的特点还包括可编程化的空载时间，让使用者能针对效率进行最佳化。

Si823x系列已开始供货，每千颗的单价介于1.15至1.60美元之间，根据类型及峰值输入电流的不同而有所差异。Si823x提供三种输入类型，并提供0.5和4安培峰值输出电流。也提供双线和脉宽调制(PWM) 等两种控制接口。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）