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非隔离电源损坏的根源

发布时间:2020/10/3 18:02:22 访问次数:2711

非隔离电源损坏的根源就是电源 AC 线两端的浪涌电压所致,也可以这么说,雷击浪涌吧,这种电压是加在电压 AC 线两端的瞬间高压,有时高达三千伏,但时间很短,能量却极强,在打雷时会发生,或是在同一条 AC 线上,当一个大的负载断开瞬间,因为电流惯性的原因也会发生,这个电压进入电源,对于非隔离 BUCK 电路,会瞬间传达到输出,击坏恒流检测环,或是进一步击坏芯片,造成 300v 直通,而烧掉整条灯管。

对于隔离反激电源,会击坏 MOS,现象就是保管,芯片,MOS 管全烧坏。现在 LED 驱动电源,在使用过程中坏的,80%以上都是这两种类似现象。

小型开关电源,就算是电源适配器,也经常损坏的是这个现象,均是浪涌电压所致,而在 LED 电源里,表现的更加普遍,这是因为 LED 的负载特性是特别的怕浪涌电压的。

FMT1030评估套件旨在支持FMT1000系列的评估,特别是FMT1030航姿参考系统。FMT1000系列是一个输出3D方向、3D转速、3D加速度和3D磁场的模块

它专门设计用于具有振动抑制,强大的传感器融合算法和高更新率的工业应用。FMT1000系列可以针对任何应用进行配置。

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:4.3 A

电源分配结构的负载数目不断增加,而且负载本身也越趋复杂,因此系统设计工程师必须解决负载电源的管理问题。

像现场可编程门阵列及数字信号处理器等复杂负载尤其需要电源供应系统为其核心及输入/输出分别提供不同的供电。

根据摩尔定律的预测,核心处理器将会越趋小巧精密,而且通常以1伏或更低的电压操作,但输入/输出则受制于通信接口标准,只能以传统的电压(例如3.3或5.0伏)操作。

由于这些子电路通常都被集成电路内置的反向偏压静电释放二极管所分隔,集成电路的供电必须按照特定的次序提供及终止,而且系统必须跟踪供电情况,以免电路出现锁定及损毁。

(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


非隔离电源损坏的根源就是电源 AC 线两端的浪涌电压所致,也可以这么说,雷击浪涌吧,这种电压是加在电压 AC 线两端的瞬间高压,有时高达三千伏,但时间很短,能量却极强,在打雷时会发生,或是在同一条 AC 线上,当一个大的负载断开瞬间,因为电流惯性的原因也会发生,这个电压进入电源,对于非隔离 BUCK 电路,会瞬间传达到输出,击坏恒流检测环,或是进一步击坏芯片,造成 300v 直通,而烧掉整条灯管。

对于隔离反激电源,会击坏 MOS,现象就是保管,芯片,MOS 管全烧坏。现在 LED 驱动电源,在使用过程中坏的,80%以上都是这两种类似现象。

小型开关电源,就算是电源适配器,也经常损坏的是这个现象,均是浪涌电压所致,而在 LED 电源里,表现的更加普遍,这是因为 LED 的负载特性是特别的怕浪涌电压的。

FMT1030评估套件旨在支持FMT1000系列的评估,特别是FMT1030航姿参考系统。FMT1000系列是一个输出3D方向、3D转速、3D加速度和3D磁场的模块

它专门设计用于具有振动抑制,强大的传感器融合算法和高更新率的工业应用。FMT1000系列可以针对任何应用进行配置。

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:4.3 A

电源分配结构的负载数目不断增加,而且负载本身也越趋复杂,因此系统设计工程师必须解决负载电源的管理问题。

像现场可编程门阵列及数字信号处理器等复杂负载尤其需要电源供应系统为其核心及输入/输出分别提供不同的供电。

根据摩尔定律的预测,核心处理器将会越趋小巧精密,而且通常以1伏或更低的电压操作,但输入/输出则受制于通信接口标准,只能以传统的电压(例如3.3或5.0伏)操作。

由于这些子电路通常都被集成电路内置的反向偏压静电释放二极管所分隔,集成电路的供电必须按照特定的次序提供及终止,而且系统必须跟踪供电情况,以免电路出现锁定及损毁。

(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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