传统技术的底部电极封装
发布时间:2020/10/1 23:02:07 访问次数:1095
保证封装侧面电极部分125μm的高度
采用传统技术的底部电极封装,因其无法在引线框架侧面进行电镀加工,无法确保车载所需的焊料高度,难以实施AOI。新产品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技术, 实现达到引线框架上限的电镀加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证封装侧面电极部分高度达125μm。即使是底部电极封装,也可实现稳定的焊接圆角,通过元器件安装后的AOI可切实确认焊接状态。
替换为超小型、高散热性的MOSFET,可应对电路板的高密度化
新产品尺寸仅为1.0mm×1.0mm(DFN1010封装),却实现了与2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封装)同等的性能,可削减安装面积达85%左右。不仅如此,通过采用散热性能优异的底部电极,与SOT-23封装相比,可将通常因体积缩小而降低的散热性提高65%。新产品兼顾了小型化与高散热性,非常适用于随功能增加,电路板日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备等应用。
新型汽车以太网链路测试解决方案主要有以下功能:
创建测试模板,其中包含规范中所有必需的测试。
每次执行测量时自动设置网络分析仪,并应用已定义好的测试限值。
以太网解决方案套件提供了实施一致性测试所需要的硬件、软件、电缆和附件。除此之外,是德科技近期还发布了新的接收机测试软件和更新版的传输一致性测试应用软件,后者可在单个应用中提供 4 种不同的数据速率,包括 Multi-Gig IEEE 802.3ch 的初始版本。这使是德科技成为较早提供 IEEE 802.3ch 一致性测试。
新型CMOS运算放大器“TC75S102F”,该产品拥有行业领先[1]的超低电流消耗。新产品将于今日开始出货。
运算放大器用于放大从传感器发出的微弱信号。为了延长物联网边缘设备和移动设备[2]等需要电池供电的电子设备的充电间隔时间,它们也必须降低电流消耗。
东芝利用其专有的CMOS工艺技术对新型运算放大器的电路进行了优化,其电流消耗很低,行业领先,从而实现低功耗。新款器件最低供电电压为1.5V,是一款能实现全范围输入/输出(轨到轨输入/输出)的运算放大器,性能优于其前代产品。
(素材来源:chinaaet.如涉版权请联系删除。特别感谢)
保证封装侧面电极部分125μm的高度
采用传统技术的底部电极封装,因其无法在引线框架侧面进行电镀加工,无法确保车载所需的焊料高度,难以实施AOI。新产品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技术, 实现达到引线框架上限的电镀加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证封装侧面电极部分高度达125μm。即使是底部电极封装,也可实现稳定的焊接圆角,通过元器件安装后的AOI可切实确认焊接状态。
替换为超小型、高散热性的MOSFET,可应对电路板的高密度化
新产品尺寸仅为1.0mm×1.0mm(DFN1010封装),却实现了与2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封装)同等的性能,可削减安装面积达85%左右。不仅如此,通过采用散热性能优异的底部电极,与SOT-23封装相比,可将通常因体积缩小而降低的散热性提高65%。新产品兼顾了小型化与高散热性,非常适用于随功能增加,电路板日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备等应用。
新型汽车以太网链路测试解决方案主要有以下功能:
创建测试模板,其中包含规范中所有必需的测试。
每次执行测量时自动设置网络分析仪,并应用已定义好的测试限值。
以太网解决方案套件提供了实施一致性测试所需要的硬件、软件、电缆和附件。除此之外,是德科技近期还发布了新的接收机测试软件和更新版的传输一致性测试应用软件,后者可在单个应用中提供 4 种不同的数据速率,包括 Multi-Gig IEEE 802.3ch 的初始版本。这使是德科技成为较早提供 IEEE 802.3ch 一致性测试。
新型CMOS运算放大器“TC75S102F”,该产品拥有行业领先[1]的超低电流消耗。新产品将于今日开始出货。
运算放大器用于放大从传感器发出的微弱信号。为了延长物联网边缘设备和移动设备[2]等需要电池供电的电子设备的充电间隔时间,它们也必须降低电流消耗。
东芝利用其专有的CMOS工艺技术对新型运算放大器的电路进行了优化,其电流消耗很低,行业领先,从而实现低功耗。新款器件最低供电电压为1.5V,是一款能实现全范围输入/输出(轨到轨输入/输出)的运算放大器,性能优于其前代产品。
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