栅极对沟道源极和漏极基底接触

发布时间:2020/9/24 22:51:30 访问次数:3813

制程从22nm一直向前推进到如今的5nm。但5nm制程已经将晶体管缩至原子级，硅原子的直径是0.117nm，3nm差不多是25个硅原子首尾相连的长度。

想要继续微缩半导体制程，需要引入新的技术。台积电2nm采用的GAA（Gate-all-around，环绕闸极）或称为GAAFET，它和FinFETs有相同的理念，不同之处在于GAA的栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触。

根据设计的不同，GAA也有不同的形态，目前比较主流的四个技术是纳米线、板片状结构多路桥接鳍片、六角形截面纳米线、纳米环。

三星对外介绍的GAA技术是Multi-Bridge Channel FET（MBCFET），即板片状结构多路桥接鳍片。

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全钢结构，强度高、承载能力强、耐冲击性能好；

表面静电喷塑，柔光、耐磨、防水、防火、防尘、防腐蚀；

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防静电地板安装地插座时必须根据地插座的规格进行开孔。

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