100 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广，包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器（硬开关和谐振式）和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统。

EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20%及提高了额定直流功率。与基准硅器件相比，这两款氮化镓器件的性能更高。

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产品种类:

功率因数校正 - PFC

RoHS:

开关频率:

75 kHz

最小工作温度:

- 40 C

最大工作温度:

+ 105 C

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

SOP-16

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

封装:

Reel

系列:

商标:

ON Semiconductor / Fairchild

Pd-功率耗散:

800 mW

产品类型:

PFC - Power Factor Correction

EPC2204的导通电阻降低了25％，但尺寸却缩小了3倍。 与基准硅MOSFET器件相比，其栅极电荷（QG）小超过50%，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真和更高效的同步整流器和电机驱动器。

100 V基准硅场效应晶体管与100V 氮化镓场效应晶体管的性能比较

预计最新一代且性能优越的100V eGaN FET的价格会更高。但这些最先进的100 V晶体管的价格与等效老化器件相近。我们为设计工程师提供的氮化镓器件的优势是性能更高、尺寸更小、散热效率更高且成本相近。氮化镓器件正在加速替代功率MOSFET器件。