串行外设接口EERAM存储器产品
发布时间:2020/9/23 22:29:47 访问次数:1286
低密度（64 Kb至1Mb）非易失性串行RAM（NVRAM）解决方案通常是成本最高的终端产品。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出全新系列的串行外设接口（SPI）EERAM存储器产品，与当前的串行NVRAM产品相比，新产品可为系统设计人员节省高达25%的成本。新系列产品为Microchip的EERAM产品阵容增添了范围从64 Kb到1 Mb不等的四种可靠SPI密度。
EERAM是一种独立非易失性RAM存储器，使用与串行SRAM相同的SPI和I2C协议，可使器件在断电期间保留SRAM内容，而无需使用外部电池。用户几乎看不见该器件的所有非易失性部分。
以生产线为例，工作站在其整个生命周期中会处理高达数百万个任务，而在任务期间丢失数据可能会造成生产线检修或物品报废。EERAM在这些场景中会自动存储SRAM内容，从而使生产线可从任务中断处开始，恢复运行。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 RoHS: 详细信息 配置:Single 晶体管极性:NPN 典型输入电阻器:22 kOhms 典型电阻器比率:1 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-59-3 直流集电极/Base Gain hfe Min:56 集电极连续电流:30 mA 峰值直流集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作温度:+ 150 C 系列:DTC124EKA 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 商标:ROHM Semiconductor 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工厂包装数量:3000 子类别:Transistors 零件号别名:DTC124EKA 单位重量:8 mg
EERAM价格之所以较低，是因为使用了标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）和闪存工艺。因为这些器件采用的是产量最高，使用最广泛的工艺，因此可提供业界最佳的可靠性和最低的成本。而诸如铁电RAM（FRAM）的替代解决方案采用的则是特殊工艺，不但成本高，而且长期供货不稳。全新EERAM系列具有Microchip以客户驱动的“淘汰模式”，有助于确保在客户需要的时间内为其供货。
EERAM为系统设计人员提供了系统所需的可靠且高性价比的非易失性RAM解决方案。几年前，我们首次推出了4 Kb和16 Kb密度产品，取得了良好的市场反响。我们的全新系列产品首次提供SPI接口，并将密度扩展到了1兆位，为满足客户的系统设计需求提供了更多选择。
当器件检测到电源耗尽时，会自动将SRAM数据传输到非易失性存储器中，并在电源恢复供电时再将数据移回到SRAM中。
(素材：eccn和ttic.如涉版权请联系删除）
低密度（64 Kb至1Mb）非易失性串行RAM（NVRAM）解决方案通常是成本最高的终端产品。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出全新系列的串行外设接口（SPI）EERAM存储器产品，与当前的串行NVRAM产品相比，新产品可为系统设计人员节省高达25%的成本。新系列产品为Microchip的EERAM产品阵容增添了范围从64 Kb到1 Mb不等的四种可靠SPI密度。
EERAM是一种独立非易失性RAM存储器，使用与串行SRAM相同的SPI和I2C协议，可使器件在断电期间保留SRAM内容，而无需使用外部电池。用户几乎看不见该器件的所有非易失性部分。
以生产线为例，工作站在其整个生命周期中会处理高达数百万个任务，而在任务期间丢失数据可能会造成生产线检修或物品报废。EERAM在这些场景中会自动存储SRAM内容，从而使生产线可从任务中断处开始，恢复运行。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 RoHS: 详细信息 配置:Single 晶体管极性:NPN 典型输入电阻器:22 kOhms 典型电阻器比率:1 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-59-3 直流集电极/Base Gain hfe Min:56 集电极连续电流:30 mA 峰值直流集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作温度:+ 150 C 系列:DTC124EKA 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 商标:ROHM Semiconductor 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工厂包装数量:3000 子类别:Transistors 零件号别名:DTC124EKA 单位重量:8 mg
EERAM价格之所以较低，是因为使用了标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）和闪存工艺。因为这些器件采用的是产量最高，使用最广泛的工艺，因此可提供业界最佳的可靠性和最低的成本。而诸如铁电RAM（FRAM）的替代解决方案采用的则是特殊工艺，不但成本高，而且长期供货不稳。全新EERAM系列具有Microchip以客户驱动的“淘汰模式”，有助于确保在客户需要的时间内为其供货。
EERAM为系统设计人员提供了系统所需的可靠且高性价比的非易失性RAM解决方案。几年前，我们首次推出了4 Kb和16 Kb密度产品，取得了良好的市场反响。我们的全新系列产品首次提供SPI接口，并将密度扩展到了1兆位，为满足客户的系统设计需求提供了更多选择。
当器件检测到电源耗尽时，会自动将SRAM数据传输到非易失性存储器中，并在电源恢复供电时再将数据移回到SRAM中。
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