SIC 难度大部分集中在 SIC 晶片的长晶和衬底制作方面，但是要做成器件，也有一些自身的难点，主要包括：

外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般要在 1500℃以上的高温下进行。由于有升华的问题，温度不能太高，一般不能超过 1800℃，因而生长速率较低。液相外延温度较低、速率较高，但产量较低 欧姆接触的制作：欧姆接触是器件器件制作中十分重要的工艺之一，要形成好的碳化硅的欧姆接触在实际中还是有较大难度；

配套材料的耐高温：碳化硅芯片本身是耐高温的，但与其配套的材料就不见得能够耐得住 600℃以上的温度。所以整体工作温度的提高，需要不断的进行配套材料方面创新。

SIC 的优异性能大家认识的较早，之所以最近几年才有较好的进展主要是因为 SIC 片和 SIC 器件两个方面相比传统的功率器件均有一些难点，器件生产的高难度高成本加上碳化硅片制造的高难度（后面会提及），两者互为循环，一定程度上制约了过去几年 SIC 应用的推广速度，我们认为随着产业链逐渐成熟，SIC正处于爆发的前夜，拐点渐行渐近。

制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: RS-232接口集成电路

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOP-28

系列: ADM213E

功能: Transceiver

数据速率: 230 kb/s

激励器数量: 4 Driver

接收机数量: 5 Receiver

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 4.5 V

工作电源电流: 13 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

ESD 保护: ESD Protection

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.75 mm

长度: 10.2 mm

输出类型: Single-Ended

产品: RS-232 Transceivers

电源类型: Single Supply

宽度: 5.3 mm

商标: Analog Devices

关闭: With Shutdown

收发器数量: 1 Transceiver

工作电源电压: 5 V

产品类型: RS-232 Interface IC

支持协议: RS-232

接收机信号类型: Single-Ended

工厂包装数量: 1500

子类别: Interface ICs

单位重量: 710 mg

制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: RS-232接口集成电路

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOP-28

系列: ADM213E

功能: Transceiver

数据速率: 230 kb/s

激励器数量: 4 Driver

接收机数量: 5 Receiver

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 4.5 V

工作电源电流: 13 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

ESD 保护: ESD Protection

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.75 mm

长度: 10.2 mm

输出类型: Single-Ended

产品: RS-232 Transc

碳化硅器件市场还是以国外的传统功率龙头公司为主，2017 年全球市场份额占比前三的是科锐，罗姆和意法半导体，其中 CREE 从 SIC 上游材料切入到了 SIC 器件，相当于其拥有了从上游 SIC 片到下游 SIC 器件的产业链一体化能力。

国内的企业均处于初创期或者刚刚介入 SIC 领域，包括传统的功率器件厂商华润微、捷捷微电、扬杰科技，从传统的硅基 MOSFET、晶闸管、二极管等切入 SIC 领域，IGBT 厂商斯达半导、比亚迪半导体等，但国内当前的 SIC 器件营收规模都比较小（扬杰科技最新披露 SIC 营收 2020 年上半年 19.28 万元左右）；

碳化硅晶片主要用来做成高压功率器件和高频功率器件：SIC片主要分为两种类型：导电型的 SIC 晶片经过 SIC 外延后制作高压功率器件；半绝缘型的 SIC 晶片经过 GaN 外延后制 5G 射频器件（特别是 PA）.

(素材：eccn和ttic.如涉版权请联系删除）