新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率（理想转化率100%），基于 SIC 材料的功率器件相比传统的 Si 基功率器件效率高、损耗小，在新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等有广阔的应用前景。目前 SIC 行业发展的瓶颈主要在于 SIC 衬底成本高（是 Si 的 4-5 倍，预计未来 3-4 年价格会逐渐降为 Si 的 2 倍），同时 SIC MOS 为代表的 SIC 器件产品稳定性需要时间验证。国内外 SIC 产业链日趋成熟，成本也在持续下降，产业链爆发的拐点临近。

制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: RS-232接口集成电路

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-16

系列: ADM3232E

功能: Transceiver

数据速率: 460 kb/s

激励器数量: 2 Driver

接收机数量: 2 Receiver

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 3 V

工作电源电流: 3 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

ESD 保护: ESD Protection

封装: Tube

高度: 1.5 mm

长度: 10 mm

输出类型: Single-Ended

产品: RS-232 Transceivers

电源类型: Single Supply

宽度: 4 mm

商标: Analog Devices

关闭: Without Shutdown

收发器数量: 1 Transceiver

工作电源电压: 3 V to 5.5 V

产品类型: RS-232 Interface IC

支持协议: RS-232

接收机信号类型: Single-Ended

工厂包装数量: 48

子类别: Interface ICs

单位重量: 666 mg

制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: RS-232接口集成电路

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-16

系列: ADM3232E

功能: Transceiver

数据速率: 460 kb/s

激励器数量: 2 Driver

接收机数量: 2 Receiver

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 3 V

工作电源电流: 3 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

ESD 保护: ESD Protection

封装: Tube

高度: 1.5 mm

长度: 10 mm

输出类型: Single-Ended

产品: RS-232 Transceivers

电源类型: Single Supply

宽度: 4

Si 基器件在 600V 以上高电压以及高功率场合达到其性能的极限；为了提升在高压/高功率下器件的性能，第三代半导体材料 SiC （宽禁带）应运而生；

第三代半导体主要是 SIC 和 GaN，第二代和第三代也称作化合物半导体，即两种元素组成的半导体材料，区别于硅/锗等单质半导体：

SIC 材料具有明显的性能优势。SiC 和 GaN 是第三代半导体材料，与第一二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，所以又叫宽禁带半导体材料，特别适用于 5G 射频器件和高电压功率器件。

(素材：eccn和ttic.如涉版权请联系删除）