ICEFill技术能够解决3D NAND器件普遍存在的高深宽比填隙面临的限制，避免DRAM和逻辑器件结构倒塌的问题。

致力于为客户提供最好的ALD技术。在单一工艺系统中，这项技术不仅能够以优异的填隙性能生产高质量氧化膜，还整合了泛林集团行业领先的四位一体的模块架构带来的生产率优势。

满足网络通信、智能终端等数据缓存需求

FORESEE DDR3L目前主要应用于IPC、机顶盒、AI音箱、TV、GPON、POS机、OTT、无人机等领域中，其中，FBGA96封装的DDR3L产品已经稳定出货，FBGA78封装的产品已成功量产。

多项严苛测试，可靠性高

设有众多专业实验室和实验设备，旗下产品均采用自主撰写的测试用例进行测试，为产品提供可信度高的测试环境。

生产测试作为质量管理的其中一道程序，对产品可靠性起着至关重要的作用。FORESEE DDR3L生产测试包括高温老化、高温压力测试、高低温功能测试、性能测试4大类，共40多个子测试项，为行业客户提供高可靠性的产品。

全新的工艺方案——先进的Striker®FE平台——用于制造高深宽比的芯片架构。Striker FE平台采用了业界首创的ICEFill™技术，以填充新节点下3D NAND、DRAM和逻辑存储器的极端结构。不仅如此，该系统还具备更低的持续运行成本和更好的技术延展性，以满足半导体产业技术路线图的发展。

全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台

半导体制造行业一直以来使用的填隙方法包括传统的化学气相沉积(CVD)、扩散/熔炉和旋涂工艺。然而，由于这些技术需要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满足当前3D NAND的生产要求。相比之下，泛林集团的Striker ICEFill采用其独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上及无缝的填隙，并保持原子层沉积(ALD)固有的成膜质量。

FORESEE DDR3L作为符合JEDEC标准的存储产品之一，在产品开发过程中提前布局主流平台的验证，能够有效避免兼容性问题的发生。

江波龙电子与多个主芯片平台建立了战略合作关系，FORESEE DDR3L产品已在HiSilicon、MTK、Amlogic、 Mstar、RockChip、Allwinner、GOKE、TouchMore等主流平台的55个主芯片型号申请验证，24个完成AVL验证，还有31个正在验证中，基本涵盖市面上的主芯片型号，能够兼容不同应用场景。

采用25nm制程，工艺更先进

相比起传统的38nm制程，FORESEE DDR3L采用了更先进、更主流的25nm制程。在成本可控的前提下，对产品性能进行了升级，也降低了待机和工作电流。

符合JEDEC标准，适用性广泛

FORESEE DDR3L严格按照JESD79-3F标准进行研发，目前已通过JEDEC标准严格的可靠性验证（如： 1000小时的HTOL、LTOL等），在市场上获得广泛采用。

(素材：eccn和ttic.如涉版权请联系删除）