小信号发射极电阻为1/gm且可视为与发射极串联。在基极上施加电压信号，相同的电流（忽略基极电流）会流入re和集电极负载RL。由RL与re的比值可得到增益A。

为另一种共发射极放大器测试电路方案。除了两个小优势之外，所有属性基本相同。其中一个优势是基极电流偏置不再取决于指数基极电压（VBE）。第二个优势是AWG1衰减后输出的交流小信号与基极偏置电路无关，并且无需交流耦合。当把交流小信号接在运算放大器的同相端子时，由于负反馈的作用，它也会出现在晶体管的基极端（反相运算放大器输入）。

替代方案的共发射极放大器测试配置。

替代方案的共发射极放大器测试配置面包板连接。

替代方案的共发射极放大器测试配置，VIN和VBE。

替代方案的共发射极放大器测试配置VBE缩放。

提供负反馈 的自偏置配置

LED显示屏专用芯片是指按照LED发光特性而设计的，专门用于LED显示屏的驱动芯片。LED显示屏驱动IC技术的成熟，可为LED显示屏的显示效果带来质的飞跃。

凭借LED显示屏专用芯片输出电流大、恒流等特点，LED显示屏可适用于大电流、高画质的各种场合，直接推动LED显示屏显示内容的形式以及应用领域朝着更加多花样化的方向发展。

华为使用的LED显示屏驱动芯片均依靠外购，成立专门的屏幕驱动芯片部门将有助于华为补足其芯片设计缺口。据悉，华为旗下芯片设计公司海思的芯片产品有基带芯片、SoC、服务器芯片等，还未覆盖到屏幕驱动芯片。

中国屏幕驱动芯片依靠大量进口，以中国屏幕龙头企业京东方为例，该公司去年屏幕驱动芯片采购额超60亿，其中国产芯片占比不到5%。

台积电（TSM）的20nm节点。与晶体管密度相关的特性尺寸并没有改变。所以这是对同一技术的改进，但台积电决定将其命名为16nm，就好像根据摩尔定律它是一个新节点，尽管实际上密度保持不变。所以当台积电推出10nm时，它代表了20nm的完全收缩，尽管它的名字（20->16->10）表明它将是更先进的两次收缩。

台积电和三星已经遥遥领先于英特尔：英特尔刚刚向10nm迈进，而台积电已经在向5N迈进。实际上，如果没有上述营销技巧，TMSC今年真的会从10nm [=7N]升级到7nm [=5N]。虽然是的，这比今年（明年，大部分时间也是2022年）仍将采用10nm技术的英特尔领先，但如果去年的头条新闻说AMD将推出10nm芯片，人们会怎么看？事实上，我已经看到许多出版物声称AMD已经在市场上拥有7nm芯片。AMD不；至少，AMD在市场上还没有英特尔的7nm晶体管。

节点名不能在代工厂之间进行比较。虽然他们都有一种被称为7nm的制造工艺，但英特尔的7nm工艺不同于台积电（和三星）。

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