有助于传感器的轻松安装，并且还可以减少所需的包装空间。紧凑的设计特别适用于测量压入力或冲压力以及分流器中的大力，以及用于小型测功机。由于其坚固性，这些传感器还非常适合监视动态力，现在可以进行几分钟的测量。

每个传感器的可追溯性。传感器的数据表中都包含了刚度，固有频率和温度灵敏度系数，以便在执行具有挑战性的测量任务时为测量工程师提供更多信息。

Parallel NAND Flash 兼容传统的并行接口标准，适合大数据的读写，工艺制程24nm即将实现量产。

在NAND Flash领域，24nm是目前国内领先的工艺制程，东芯半导体在国内领先的24nm的工艺制程上也有突破。

东芯的24nm Parallel NAND Flash在访问速率及功耗都更具优势，关键技术且都具有自主专利。

产品规格：

容量：1Gb/2Gb/4Gb/8Gb

电压：1.8V/3.3V

温度：-40°C~85°C

线宽：x8/x16

速度：20ns/25ns,30ns/45ns

封装：TSOP48,VFBGA63,VFBGA67,KGD

先进工艺制程，严格产品把控

24nm先进工艺制程。缩小器件的特征尺寸，降低功耗，降低成本，提高产品竞争力。

功能上对标同类产品，合格jedec标准，接口及操作时序均一致，设置超过500项的仿真验证项，确保设计成功，可直接进行国产替代。主要产品指标比如电压，接口位宽，page size，Random access time，Page program time，data retention等也均和国际一流产品一致。通用的并行接口，MID/DID以及parameter页等设置也符合JEDEC标准，支持LEGACY/ONFI 1.0 COMMAND SET指令集，具备更好的兼容性。

高性能的数据访问，通过内部buffer可以提供数据吞吐量，一页从存储阵列到数据寄存器小于25微秒。1.8V连续读写的时钟周期为30纳秒，而3.3V仅需20纳秒。典型的页写入时间达到200微秒。

东芯的24nm NAND不用借助外部缓冲就可以实现快速的页拷贝;独立的/WP引脚可以实现对存储数据擦/写的硬件保护。

Functional block diagram如下图所示，以8Gb为例：

由此可见，标准并行通讯接口与CPU交互，并通过内部命令控制逻辑传达指令到内部，数据读取时Data register首先缓存，再通过IO送出。

同时，东芯使用独立的LDO模块分别给核心模块与电压泵模块供电，在确保供电稳定的前提下节省静待功耗。使用步进式+多次式方法进行编写/擦除操作，也对单元阈值电压精准控制。

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