IGT40R070D1 E8220是400V Cool增强模式氮化镓高迁移率晶体管(GaN HEMT).该器件通过在体二极管的零反向恢复电荷和非常小的线性输入和输出电容,克服了技术阻挡层如线性和功率损耗.CoolGaN™由于具有低/线性Coss,零Qrr和常开开关,理想的D类音频放大器提供0%失真和100%效率.D类放大器线性和功率损耗是高度依赖于开关器件的开关特性. Infineon公司的CoolGaN™通过引入体二极管的零反向恢复电荷和非常小的线性输入和输出电容,打破了这种技术壁垒.此外,增强模式提供了快速开合和关断速度,以及在单个芯片或封装内更好的集成通路.这种特性使得CoolGaN™和IRS20957SPBF D类控制器配对时更简便.

向网络虚拟化和 O-RAN 发展的趋势，为我们带来了借助赛灵思 T1 电信加速器卡驱动标准网络进一步分解的发展机遇，帮助我们扩张到 5G 市场的每一个细分市场。通过我们的生态系统合作伙伴紧密合作，赛灵思硬件、IP 和软件正在引领 5G O-RAN 网络的创新与实现。

5G 基础设施投资为支持新服务以及需要更大带宽的服务而不断增长，提供一种能够加快系统提速以满足不断增长的规模需求和带宽需求的解决方案显得至关重要。随着运营商对O-RAN 和虚拟化的兴趣与日俱增，赛灵思 T1 电信加速器卡将是一种极富吸引力的解决方案。它不仅可以地满足这一需求，同时也在边缘侧实现了软件、服务等重要方面。

MAX25410B是基于汽车USB 供电(USB-PD)的Type-C保护解决方案,用于汽车无线电,导航,连接和USB集线器/多媒体模块应用.器件提供了USB Type-C连接器上用于CC1, CC2, D+和D-信号的单片汽车USB-PD保护解决方案. 

MAX25410和 MAX25410A还提供VCONN开关具有先进的故障管理,它不需要专门的电源.器件的保护特性包括±15kV IEC 61000-4-2, ISO 10605 ESD,保护引脚HVCC1, HVCC2, HVD+和HVD-的对VBUS(24V)的短路.器件的特性还包括集成BC1.2充电检测CDP,DCP或通过(SDP)模式, Apple® 2.4A, Samsung® 2A以及支持China YD/T 1591-2009充电仿真.

器件集成了550mΩ VCONN FET,有250mA过流保护, USB 2.0 D+/D-保护开关具有1GHz带宽,具有工业兼容的重置计时的自动故障检测和恢复.器件和USB OTG标准和Apple CarPlay兼容.具有AEC-Q100 和AEC-Q006资质,工作温度-40C to +105C,4x4mm 16引脚TQFN-EP封装.主要用在汽车无线电和导航,汽车USB集线器和汽车多媒体盒.

(素材：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除）