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双低频测试信号滤波问题

发布时间:2020/9/14 21:48:39 访问次数:1597

多频点蓄电池内阻测试法双低频测试信号滤波问题,设计基于MAX267有源带通滤波器芯片的可选频4阶切比雪夫带通滤波器。通过改变基准输入时钟频率信号,实现带通滤波器通带中心频率的切换。详细介绍了这种前置变频带通滤波器级联方式、切比雪夫滤波器选型配置、可编程引脚Fn、Qn的配置方法、外围级联电路计算以及可变基准时钟信号的产生方法。外围电路十分精简,各中心频率通带幅频性能良好,满足工程需求。

蓄电池Thevinen模型的蓄电池内阻是反映蓄电池状态的重要参数。目前多频点内阻测试法是辨识该模型先进有效的技术。Thevene模型中的极化电阻和极化电容对测试信号极为敏感,需要窄通带幅频好的滤波器。

Nexperia 的 CCPAK贴片封装采用了创新的铜夹片封装技术来代替内部的封装引线。这样可以减少寄生损耗,优化电气和热性能,并提高可靠性。CCPAK封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置,使其更通用,并有助于进一步改善散热。

采用集成运放芯片LM324N设计带通滤波单元,只能满足单一中心频率带通滤波,对于不同频率点,需要重复设计两个以上滤波电路单元,且由于外围RC元器件太多,使得一致性很难把握,滤波器的中心增益变化,导致测出的阻值过于波动,进而恶化了仪器的空间布局。因此,选用有源滤波芯片MAX267,设计可选频带的带通滤波器,极大地缩小了电路空间布局,适合手持便携式的内阻测试仪的技术要求。

H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。

650V TO-247封装的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封装的 GAN039-650NBB目前均可提供样品。

氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件,导通电阻RDS(on)降低到仅 41mΩ(最大值,25℃的典型值为 35mΩ),同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK封装的新器件,将导通电阻值进一步降低到39mΩ(最大值,25℃的典型值为 33mΩ)。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准,可满足汽车应用的要求。

客户需要导通电阻RDS(on)为30~40mΩ的650V新器件,以便实现经济高效的高功率转换。相关的应用包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 以及1.5~5kW钛金级的工业电源,比如:机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。Nexperia持续投资氮化镓开发,并采用新技术扩充产品组合。首先为功率模块制造商提供了传统的 TO-247封装器件和裸芯片,并随后提供我们高性能的CCPAK 贴片封装的器件。


(素材:chinaaet.如涉版权请联系删除)



多频点蓄电池内阻测试法双低频测试信号滤波问题,设计基于MAX267有源带通滤波器芯片的可选频4阶切比雪夫带通滤波器。通过改变基准输入时钟频率信号,实现带通滤波器通带中心频率的切换。详细介绍了这种前置变频带通滤波器级联方式、切比雪夫滤波器选型配置、可编程引脚Fn、Qn的配置方法、外围级联电路计算以及可变基准时钟信号的产生方法。外围电路十分精简,各中心频率通带幅频性能良好,满足工程需求。

蓄电池Thevinen模型的蓄电池内阻是反映蓄电池状态的重要参数。目前多频点内阻测试法是辨识该模型先进有效的技术。Thevene模型中的极化电阻和极化电容对测试信号极为敏感,需要窄通带幅频好的滤波器。

Nexperia 的 CCPAK贴片封装采用了创新的铜夹片封装技术来代替内部的封装引线。这样可以减少寄生损耗,优化电气和热性能,并提高可靠性。CCPAK封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置,使其更通用,并有助于进一步改善散热。

采用集成运放芯片LM324N设计带通滤波单元,只能满足单一中心频率带通滤波,对于不同频率点,需要重复设计两个以上滤波电路单元,且由于外围RC元器件太多,使得一致性很难把握,滤波器的中心增益变化,导致测出的阻值过于波动,进而恶化了仪器的空间布局。因此,选用有源滤波芯片MAX267,设计可选频带的带通滤波器,极大地缩小了电路空间布局,适合手持便携式的内阻测试仪的技术要求。

H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。

650V TO-247封装的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封装的 GAN039-650NBB目前均可提供样品。

氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件,导通电阻RDS(on)降低到仅 41mΩ(最大值,25℃的典型值为 35mΩ),同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK封装的新器件,将导通电阻值进一步降低到39mΩ(最大值,25℃的典型值为 33mΩ)。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准,可满足汽车应用的要求。

客户需要导通电阻RDS(on)为30~40mΩ的650V新器件,以便实现经济高效的高功率转换。相关的应用包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 以及1.5~5kW钛金级的工业电源,比如:机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。Nexperia持续投资氮化镓开发,并采用新技术扩充产品组合。首先为功率模块制造商提供了传统的 TO-247封装器件和裸芯片,并随后提供我们高性能的CCPAK 贴片封装的器件。


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