最佳相位性能和最大输出功率一致，因此测得的功率足以确保最佳的相位噪声性能。本例中的校准器为 ADIADL6010 功率检波器，用于测量组合信号的输出幅度。在此方法中，可 (在每个频率)调节每个 PLL 的相位，当组合功率达到最大值时，相位调节恒定。针对其他每个 PLL 重复该过程，直到所有四个 PLL 都上电并得到调节，这样合成器输出端的信号即会达到最大值。

集成四个相位对准 ADF4355 的 PLL/VCO 以及 ADCLK948 时钟缓冲器、合成器(PBR-0006SMG)和校准电路

实际结果遵循理论，针对 PLL/VCO 的每次倍频具有所述的正确相位性能，相比单个 PLL/VCO，四个 PLL/VCO 的组合相位噪声可改善 6 dB。

当四个 PLL/VCO 相位组合时，一个 ADF4355 PLL (1 MHz 偏移时–134 dBc/Hz/)的性能可改善 6 dB (1 MHz 偏移时约–140 dBc/Hz)。

特点 375/456-MHz ARM926EJ-S™ RISC 内核 ARM9 内存架构 可编程实时单元子系统 增强版直接内存存取控制器 3 (EDMA3) 两个外部内存接口 三个可配置的 16550 型 UART 模块 两个串行外设接口 (SPI) 配有安全数据输入/输出 (SDIO) 的多媒体卡 (MMC)/ 安全数码 (SD) 卡接口 两个主/从内部集成电路.

TI AM1808 评估模块Texas Instruments TMDXEXP1808L AM18x eXperimenter 套件 和 TMDXEVM1808L AM18x 评估模块用于评估 AM1806 和 AM1808 应用程序处理器的功能。 两种套件均配有 AM1808 SOM-M1、应用底板、触摸屏 LCD 和开发工作所需的软件。 AM18x 评估模块还配有用户接口板、网络 / USB / 串行连接器和电缆。

瑞萨DDR5数据缓冲器通过降低容性负载、数据对准和信号恢复技术的组合，使重载通道的系统眼图最大化。这使具有大量内存通道和插槽以及复杂路由拓扑的服务器主板即使在高密度内存满载的情况下，也能够以最高速度运行。此外，DDR5模组定义的改进允许更低的电源电压（DDR5中为1.1V，DDR4中则为1.2V）、DIMM模组内电压调节以及通过使用SPD集线器和现代控制总线通信（如I3C）来实现先进的控制平面架构。

自双列直插式内存模组问世以来，瑞萨作为业界资深的内存接口产品供应商，始终致力于完整芯片组解决方案的研发。作为整体产品家族的一部分，经过优化的全新瑞萨DDR5数据缓冲器5DB0148，可与LRDIMM存储器模组上的其它瑞萨DDR5组件无缝对接，包括电源管理芯片P8900、寄存时钟驱动器5RCD0148、SPD集线器SPD5118以及温度传感器TS5111，确保部署瑞萨芯片组解决方案的内存供应商获得完整的互操作性和稳定的质量。