Analog Devices的ADF4371和ADF4372微波宽带合成器。ADF4371是目前业界频率最高的合成器之一，可提供62 MHz至32 GHz 的超广连续射频输出，而ADF4372则能在62 MHz至16 GHz 的范围内运行，适用非高频设计。

Analog Devices ADF4371和ADF4372 微波宽带合成器包含锁相环 (PLL)、全集成压控振荡器 (VCO)、低压差稳压器 (LDO) 以及跟踪滤波技术。这两款器件具有业界最低的抖动（10GHz时为36fs）当与外部环路滤波器和外部参考源搭配使用时，可实现高分辨率小数N分频或整数N分频锁相环频率合成器。

两款合成器尺寸小巧，只有7 mm × 7 mm，具有高带宽、更小的板空间、高可靠性、低噪声、更宽的时钟范围，以及更高的灵活性，能让各种RF应用功能更为完善，适合于无线基础设施（MC-GSM多载波全球移动通信系统、5G等）、测试设备和仪器、时钟发生器以及航空航天和国防等设计。为了便于开发，贸泽还提供了相应的评估板和SDP-S控制器板。

GaN FET在电力电子装置应用广泛。研究者主要是利用GaN FET高的开关频率、低的开关损耗等优势，通过提高变换器工作频率减小装置体积，进而提高装置效率、降低装置成本、增加收益。

GaN FET变换器在其他方面的应用研究情况。GaN FET目前多用在中小功率变换器上，随着开关频率的提高，变换器效率降低，但基本在90%及以上。实验证明，效率的降低与开关损耗机理有关[29]。当然，除了提高效率，用GaN FET设计的功率1 kW以上的变换器，输出电压和电流纹波很小[30-31]。此外，采用GaN FET并联技术[32-34]有可能使其应用到10 kW及以上的大功率场合。可见，GaN FET在变换器的应用前景广阔。

对GaN FET的器件结构、驱动电路以及应用的研究，可以看出只要解决GaN FET高频下独特的栅极振荡问题，就能极大地推动它的发展。一般可从两方面着手，一是设计性能更好的器件结构；二是设计更合理的驱动电路。虽然GaN FET目前在中小功率场合更有优势，对GaN FET性能的不断改进和提高，更多大功率场合也必然有GaN FET的一席之地。

TMC5160具有完整的运动控制功能、强大的外部MOSFET驱动和高质量的电流调节。它提供了多种用途，涵盖了从电池供电的高效系统到20安培电机线圈电流的嵌入式应用。TMC5160包含驱动电机所需的全部功能，可配置为位置模式或速度模式，支持TRINAMICs独有的stallGuard2, coolStep, dcStep, spreadCycle和stealthChop功能，优化了驱动器性能，平衡了速度和电机扭矩，优化能源效率、驱动平稳且无噪音。TMC 5160的集成度高、尺寸小、成本降低，可满足小型化布板需求。芯片、控制板和软件级别的广泛支持，使竞争产品能够缩短设计周期、快速上市。高能效和可靠性可简化相关系统(如电源和冷却系统)设计，并节约成本。TMC5130提供1.4A的电机电流，适合功率较小的应用，软件与TMC5160兼容。

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