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三极管V6可抑制干扰导致误开通的现象

发布时间:2020/9/12 14:52:48 访问次数:1338

UCC21520是隔离双通道栅极驱动器,输出的两通道驱动信号互补。当PWM信号INA为高电平时,输出OUTA驱动上管开通;INB为高电平时,输出OUTB驱动下管,且INA与INB是互补信号。采用UCC21520设计了含有源箝位的GaNFET驱动。由于芯片内部集成有死区电路,所以可通过改变驱动电路中外接电阻R29的阻值来调节死区。磁珠起减缓栅极电路中产生较大电压振荡的作用;稳压管用来防止栅源电压VGS波动太大使开关损坏;箝位三极管V6可抑制干扰导致误开通的现象。可见,该集成驱动电路的抗扰性较好。

在电力工业中60%以上负载是电机。在节能减排的大环境下,电机的驱动变换器向低功耗、高功率密度、高效率发展。为实现这些目标,人们把目光转向GaN等功率器件,利用GaN FET的特性提高电机驱动变换器的性能。

针对5 kW三相电机,采用了GaN 3×3逆变模块完成了矩阵变换器的控制,大大减小了系统的损耗和体积。在10 kHz工作时,变换器效率达到96%,功耗低于1 W,体积减少不少于1%。

类型 DC DC 稳压器

拓扑 SEPIC,降压,升压

内部开关 是

输出数 1

电压 - 供电(最低) 3V

电压 - 供电(最高) 30V

电压 - 输出 -

电流 - 输出/通道 750mA(开关)

频率 400kHz

调光 模拟,PWM

应用 照明

工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 16-TFSOP(0.118",3.00mm 宽)

供应商器件封装 16-MSOP

宽带RF分集开关BGS14WMA9和BGS12WN6具有高开关速度,它们针对WLAN和蓝牙应用进行了优化,可为FM广播、LTE、LAA和5G应用提供0.05至6.0GHz宽带支持。

高开关速度外,这两种类型RF开关还提供高达26dBm输入功率的高线性度、低插入损耗和高达6GHz的端口到端口高隔离度。其低耗电量可进一步节省系统级的功耗。

RF开关采用英飞凌的专利MOS技术制造,具有砷化镓(GaAs)开关的性能,并具有传统CMOS(互补金属氧化物半导体)开关的经济性、集成度和静电放电(ESD)鲁棒性。与采用GaAs技术的开关不同,这些RF开关只有当外部施加直流电压时,才需要在RF端口上使用外部隔直电容器。

BGS12WN6是具有两个端口的单刀双掷(SPDT)分集开关,而BGS14WMA9是包括四个RF端口的单刀四掷(SP4T)开关,每个端口都可以用作分集天线的终端,可处理高达26dBm功率。


(素材:chinaaet.如涉版权请联系删除)

UCC21520是隔离双通道栅极驱动器,输出的两通道驱动信号互补。当PWM信号INA为高电平时,输出OUTA驱动上管开通;INB为高电平时,输出OUTB驱动下管,且INA与INB是互补信号。采用UCC21520设计了含有源箝位的GaNFET驱动。由于芯片内部集成有死区电路,所以可通过改变驱动电路中外接电阻R29的阻值来调节死区。磁珠起减缓栅极电路中产生较大电压振荡的作用;稳压管用来防止栅源电压VGS波动太大使开关损坏;箝位三极管V6可抑制干扰导致误开通的现象。可见,该集成驱动电路的抗扰性较好。

在电力工业中60%以上负载是电机。在节能减排的大环境下,电机的驱动变换器向低功耗、高功率密度、高效率发展。为实现这些目标,人们把目光转向GaN等功率器件,利用GaN FET的特性提高电机驱动变换器的性能。

针对5 kW三相电机,采用了GaN 3×3逆变模块完成了矩阵变换器的控制,大大减小了系统的损耗和体积。在10 kHz工作时,变换器效率达到96%,功耗低于1 W,体积减少不少于1%。

类型 DC DC 稳压器

拓扑 SEPIC,降压,升压

内部开关 是

输出数 1

电压 - 供电(最低) 3V

电压 - 供电(最高) 30V

电压 - 输出 -

电流 - 输出/通道 750mA(开关)

频率 400kHz

调光 模拟,PWM

应用 照明

工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 16-TFSOP(0.118",3.00mm 宽)

供应商器件封装 16-MSOP

宽带RF分集开关BGS14WMA9和BGS12WN6具有高开关速度,它们针对WLAN和蓝牙应用进行了优化,可为FM广播、LTE、LAA和5G应用提供0.05至6.0GHz宽带支持。

高开关速度外,这两种类型RF开关还提供高达26dBm输入功率的高线性度、低插入损耗和高达6GHz的端口到端口高隔离度。其低耗电量可进一步节省系统级的功耗。

RF开关采用英飞凌的专利MOS技术制造,具有砷化镓(GaAs)开关的性能,并具有传统CMOS(互补金属氧化物半导体)开关的经济性、集成度和静电放电(ESD)鲁棒性。与采用GaAs技术的开关不同,这些RF开关只有当外部施加直流电压时,才需要在RF端口上使用外部隔直电容器。

BGS12WN6是具有两个端口的单刀双掷(SPDT)分集开关,而BGS14WMA9是包括四个RF端口的单刀四掷(SP4T)开关,每个端口都可以用作分集天线的终端,可处理高达26dBm功率。


(素材:chinaaet.如涉版权请联系删除)

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