Pickering Interfaces设计并生产模块化信号开关和用于电子测试和验证的仿真产品。我们提供业内种类最全面的用于PXI、LXI和PCI应用的开关和仿真产品。同时我们也为这些产品提供配套的电缆连接线和连接器配件、诊断测试工具以及由我们的内部软件团队创建的相关软件驱动。

国内外GaN FET的器件结构、驱动电路及其在电机驱动、LED驱动、光伏逆变器、POL等场合中的应用进行综述。

GaN FET器件的结构目前主要有耗尽型(Depletion mode，D-mode)和增强型(Enhancement mode，E-mode)。增强型GaN FET又分单体GaN和Cascade GaN(共栅共源)。

耗尽型GaN FET的器件结构,耗尽型GaN FET采用Si材料作为GaN FET的基片，在Si基片基础上生长出高阻性的GaN晶体层，即氮化镓通道层(GaN channel)。一般在GaN层和Si衬底层之间添加氮化铝(AIN)绝缘层作为氮化镓缓冲层(GaN buffer)，将器件和衬底隔离开来。AlGaN层存在GaN层和栅极(G)、源极(S)和漏极(D)之间；AlGaN层和GaN层之间可以产生具有高电子迁移率、低电阻特性的二维电子气(Two-Dimensional Electron Gas，2DEG)，且它的浓度随AlGaN厚度先线性增加，然后达到饱和。

所有步进电机逻辑完全在TMC5160内，不需要软件来控制电机——只需提供目标位置。SD_ MODE接地使能此模式。

TMC5160基本应用框图（运动控制器）,脉冲和方向驱动器,像TMC 4361这样的外部高性能S-ramp运动控制器或CPU产生与系统内其他部件（如电机）同步的脉冲和方向信号。TMC5160控制电流和运动模式，并反馈电机状态。microPlyer自动平滑运动。SD _ MODE接高电平使能此模式。

TMC5160步进/方向模式应用框图

简单的步进和方向驱动器

TMC5160根据步进和方向信号控制电机。microPlyer自动平滑运动。不需要CPU；配置由硬件引脚完成。静止保持电流控制由TMC5160完成。可选的反馈信号作为错误检测和同步标志的输出。SPI_MODE 接地，SD_MOD接高电平使能此模式。

TMC5160独立模式驱动器应用框图

TMC 5160实现了Trinamic产品独有的高级功能，有效提高了步进电机运行过程中的精度、能效、可靠性、平滑性和能耗。

TLV320ADC5140的主要特性和优势,利用波束形成系统，在任何环境中都可以清晰地采集音频：TLV320ADC5140具有内置的120dB动态范围增强器（DRE）。在系统层面，即使在非常靠近音箱输出的情况下，DRE方案仍可在保持低失真录音的同时增强低音量音频信号。DRE还可以改善所有环境中的远场高保真录音。

优质麦克风提供了高品质的语音兼容性：TLV320ADC5140是首款完全支持超过106dB动态范围的最新高信噪比麦克风的ADC。

领先的集成支持多功能系统设计：TLV320ADC5140最多可支持麦克风输入的四个模拟通道或八个数字通道（或其组合）进行同步采样，从而确保了系统灵活性，另外还提供增益和相位校准等可编程功能，以均衡麦克风阵列失配。其他功能包括可编程增益放大器、高通滤波器、通道混合以及线性相位或超低延迟滤波器。

体积小，系统功耗低：TLV320ADC5140的内置功能可以帮助工程师减轻数字信号处理任务的负担，从而可以在不牺牲系统可靠性的情况下缩小设计体积。在48kHz时，每个通道的功耗仅为9.5mW。

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