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4V的阈值电压和短路稳健性

发布时间:2020/9/11 23:53:41 访问次数:986

完整的MCUXpresso软件和工具套件可在所有恩智浦设备上提供无缝的软件体验,并有助于快速将Zigbee 3.0和Thread功能添加到其他恩智浦设备上的现有设计。恩智浦物联网(IoT)工具箱智能设备应用以及恩智浦连接工具和测试工具已推出。它们均旨在帮助开发人员评估射频性能并提高测试效率。

MCU智能:丰富的MCU功能集,包括具有音频事件唤醒功能的数字MIC接口和用于高密度数据存储或代码执行的四通道SPI NOR闪存控制器.

恩智浦还为低功耗蓝牙和多协议射频设备提供引脚兼容解决方案。这些新型JN无线MCU具备各类物联网应用所需的全套支持,在提供互联智能的同时可加快产品的开发和上市时间。


Texas Instruments (TI) 的IWR1843工业雷达传感器。IWR1843超宽带TI毫米波 (mmWave) 传感器采用TI的低功耗45-nm RFCMOS制程,外型尺寸极为小巧,并拥有出众的集成度, 适用于大楼和工厂自动化、智能机器人、材料处理、交通监控和人员检测/计数等工业系统中低功耗、可自我监控且具有超高准确度的雷达系统。

丰富多样的Texas Instruments半导体解决方案,并且不断上新。贸泽致力于快速引入新产品与新技术,帮助客户设计出先进产品,并使客户产品更快走向市场。超过800家半导体和电子元器件生产商通过贸泽将自己的产品销往全球市场。贸泽只为客户提供通过全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。

拥有丰富的产品线与贴心的客户服务,积极引入新技术、新产品来满足设计工程师与采购人员的各种需求。我们库存有海量新型电子元器件,为客户的新一代设计项目提供支持。高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况,而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料

CoolSiC  MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

650 V CoolSiC  MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间,既可采用典型的TO-247 3引脚封装,也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC  MOSFET产品相比,全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外,它们还具备最高的跨导水平(增益)、4V的阈值电压(Vth)和短路稳健性。沟槽技术可以在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低的损耗,并在运行中实现最佳可靠性。


(素材:chinaaet.如涉版权请联系删除)


完整的MCUXpresso软件和工具套件可在所有恩智浦设备上提供无缝的软件体验,并有助于快速将Zigbee 3.0和Thread功能添加到其他恩智浦设备上的现有设计。恩智浦物联网(IoT)工具箱智能设备应用以及恩智浦连接工具和测试工具已推出。它们均旨在帮助开发人员评估射频性能并提高测试效率。

MCU智能:丰富的MCU功能集,包括具有音频事件唤醒功能的数字MIC接口和用于高密度数据存储或代码执行的四通道SPI NOR闪存控制器.

恩智浦还为低功耗蓝牙和多协议射频设备提供引脚兼容解决方案。这些新型JN无线MCU具备各类物联网应用所需的全套支持,在提供互联智能的同时可加快产品的开发和上市时间。


Texas Instruments (TI) 的IWR1843工业雷达传感器。IWR1843超宽带TI毫米波 (mmWave) 传感器采用TI的低功耗45-nm RFCMOS制程,外型尺寸极为小巧,并拥有出众的集成度, 适用于大楼和工厂自动化、智能机器人、材料处理、交通监控和人员检测/计数等工业系统中低功耗、可自我监控且具有超高准确度的雷达系统。

丰富多样的Texas Instruments半导体解决方案,并且不断上新。贸泽致力于快速引入新产品与新技术,帮助客户设计出先进产品,并使客户产品更快走向市场。超过800家半导体和电子元器件生产商通过贸泽将自己的产品销往全球市场。贸泽只为客户提供通过全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。

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CoolSiC  MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

650 V CoolSiC  MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间,既可采用典型的TO-247 3引脚封装,也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC  MOSFET产品相比,全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外,它们还具备最高的跨导水平(增益)、4V的阈值电压(Vth)和短路稳健性。沟槽技术可以在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低的损耗,并在运行中实现最佳可靠性。


(素材:chinaaet.如涉版权请联系删除)


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