多留个心眼看看其采用的线材是否达到相应的标准，例如在额定功率为500W的电源上，其主要输出线路应该采用18AWG级别的线材。如果这款电源它没有按照规范要求在线材上标注相应的规格，或者说只采用了较低规格的线材，这时候就不妨考虑一下其它产品，毕竟连基本功都没有做好的电源，我们很难相信其用料和性能能有较好的表现，在某种程度上来说，也是一个比较方便的、用于排除劣质电源的方法。

贴片钽电容的作用:

具有储藏电量、进行充放电等性能

稳压防治电压抖动及滤波的作用。

贴片钽电容的优点：

由于体积小容量较大，适用于较小空间

随着温度的升高，其介质损耗低，寿命长，绝缘电阻高，漏电系数小，稳定性要优于陶瓷电容。

中科院带来了一个重大消息，国内的芯片将会放弃之前使用的美国架构技术，准备转换成正在全面自主研发国产的“龙芯”架构，这意味着中国“龙芯”正式开始走向产品。

这次转折可以说成是国内芯片行业的背水一战，面对国外种种压力之下，国内企业别无他法，只能够自己寻找机会突破国外的封锁。

国内的海思在芯片设计领域处在世界上领先的水平，甚至可以设计出5nm的芯片。

但是由于我们将重心放在了芯片的设计上，却忽略了芯片的生产，只能依赖国外的技术来生产芯片。国内最先进的中芯国际，在不久后也只能生产14nm芯片，而眼下正继续的7nm和5nm芯片，真的是心有余而力不足。

MIPS架构技术是美国上世纪的产物，到时我国龙芯一号的性能和良品率都和对手相差很远，经过不断的改良使我们的龙芯一号终于开始将两者的距离不断拉近。

启动龙芯，并且决定去除美国的MIPS架构技术，不仅是为了防止美国的制裁，更是为了大力发展国内的芯片行业，国家对半导体行业越来越重视，并且在各方面给予半导体公司优惠政策，鼓励国产芯片的大力发展，逐渐拉近与国外芯片的距离，并超过对方，以期打破国外对中国半导体的限制。

主要技术性能

电容器损耗角正切(tanδ)不大于0.0002。

电容器的实测电容与其额定值的偏差不超过-3%～+5%。

电容器放电电阻（如有）能在电容器脱离电源后将其剩余电压自√2UN降到电压75V 以下。

电容器内部熔丝（如有）能在0.9 √2UN和2.0√2UN之间的电压下元件击穿时可靠动作。

安全可靠的产品结构：

单元绝缘裕度加大，长期运行电压可提高到1.2倍额定电压。

隐藏式内熔丝动作性能达到世界先进水平。

极板采用铝箔折边凸出结构，改善边缘的电场分布。

分布式内放电电阻，消除内部直流电压、抑制熔丝动作时产生的电弧。

一体式滚压套管，无需任何焊接，有效防止套管部位的渗漏。

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