Transphorm的模拟评估板提供了前所未有的、以最简单的方式使用我们高效GaN的机会。与之前的数字板非常相似的是，它为电源系统工程师提供了以往高压设备市场所缺少的选择。无论最终应用的针对性价值主张如何，我们都能提供各种工具集和最强大的GaN来帮助您取得成功。

SuperGaN器件：性能超越超结MOSFET,TDTTP4000W065AN在板中采用Transphorm的SuperGaN Gen IV TP65H035G4WS FET作为快速开关支路，而低电阻硅MOSFET则用在慢速开关支路中。最终的性能与其数字控制产品TDTTP4000W066C相似。

TP65H035G4WS是采用TO-247通孔封装且导通电阻为35毫欧的650伏器件，具有固有的高热耗散能力。此功能消除了将器件并联以输出更高功率的需求，而这是具有竞争力的表面贴装GaN解决方案所需的一种设计方法。而且，与所有其他Transphorm GaN器件一样，SuperGaN FET可以通过4伏阈值电压(Vth)及0至12伏现成的标准栅极驱动电路来驱动。

现在可通过TI和授权分销商购买TPS63900，大小为2.5mm x 2.5mm，带晶圆小尺寸无铅（WSON）封装。完整卷带和定制卷带可登录TI.com及通过其他渠道获得。

制造商:Microchip产品种类:以太网 ICRoHS: 详细信息商标:Microchip Technology产品:Ethernet Controllers数据速率:10 Mb/s工作电源电压:3.3 V最大工作温度:+ 85 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:SPDIP-28双工:Full Duplex, Half Duplex接口类型:MII, MIIM最小工作温度:- 40 C封装:Tube标准:10Base-T工厂包装数量:15

5G平台T750，面向新一代5G CPE无线产品，以及5G固定无线接入（FWA）和移动热点（MiFi）等设备，为家庭、企业和移动用户带来高速5G连接。

T750采用先进的7nm制程，高度集成5G调制解调器和四核 Arm CPU，提供完备的功能和配置，让设备制造商得以打造精巧的高性能消费类产品。目前，T750正在为厂商送样。

联网设备的增加，以及远程办公、视频会议和在线课程等服务的激增，普及高速宽带连接变得越来越重要。通过T750平台，我们将把领先的5G技术延伸到手机领域之外，为运营商和设备制造商开辟新市场，让消费者充分体验5G连接的优势。

支持Sub-6GHz频段的5G路由器为数字用户线路（DSL）、电缆或光纤服务受限的地区带来了更便利的宽带选择，让难以接入现有无线服务与信号的郊区、农村等偏远地区，也能够获得超高速的网络连接。

据分析机构IDC预测，全球5G和LTE路由器、以及网关市场，

(素材：eccn.如涉版权请联系删除）