互连方案和晶圆键合器
发布时间:2020/8/31 21:25:52 访问次数:787
2.5D 封装和 3D 封装的类型众多,高带宽存储器(HBM)就是一种 3D 封装类型,这一方法是将 DRAM 裸片堆叠在一起。将逻辑堆叠在逻辑上或将逻辑置于内存上的方法也正在出现。逻辑堆叠在逻辑上的方法还没有普及,逻辑堆叠在内存上的方法目前正在兴起。
在封装中,目前备受关注的是小芯片。小芯片本身不是一种封装类型,但芯片制造商的库中可以拥有一个模块化裸片或多种小芯片,客户可以混合搭配这些芯片,并使用封装中裸片对裸片(Die-to-Die)的互连方案进行连接。
小芯片可以存在于现有的封装类型或新的体系架构中。这是一种架构方法,它正在为任务需求优化解决方案,这些需求包括速度、热量、功率等性能,有时还需要考虑成本因素。
一般信息
数据列表
TXB0104;
标准包装
3,000
包装
标准卷带
零件状态
有源
类别
集成电路(IC)
产品族
逻辑器件 - 转换器,电平移位器
系列
其它名称
296-21930-2规格
转换器类型
电压电平
通道类型
双向
电路数
1
每个电路的通道数
4
电压 - VCCA
1.2V ~ 3.6V
电压 - VCCB
1.65V ~ 5.5V
输入信号
输出信号
输出类型
三态,非反相
数据速率
100Mbps
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
特性
自动方向检测
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
14-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装
14-VQFN(3.5x3.5)
当下最先进的 2.5D 封装和 3D 封装是供应商所使用的现有互连方案和晶圆键合器。在这些封装中,使用铜凸块或铜柱堆叠和连接裸片,基于焊接材料,凸块和支柱在不同的设备之间提供小而快速的电气连接。
最先进的微型凸块的间距是 40μm 至 36μm,这里的间距包括一定的空间距离,例如 40μm 间距就是 25μm 的铜柱加上 15 微米的空间距离。
TAS5825P的功能强大的音频DSP实现了称作Hybrid-Pro的专有算法.该算法检测即将到来的音频功率需求,经由Hybrid-Pro反馈引脚(HPFB)为以前的DC/DC转换器提供PWM控制信号.该器件支持多达4ms的延迟缓冲器,为音频信号作好应对准备,防止音频限幅失真.和固定电源电压相比,电池寿命大约增加了50%,电源效率大于90%,90 mΩ RDSon,12V PVDD时的静态电流小于20mA.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
2.5D 封装和 3D 封装的类型众多,高带宽存储器(HBM)就是一种 3D 封装类型,这一方法是将 DRAM 裸片堆叠在一起。将逻辑堆叠在逻辑上或将逻辑置于内存上的方法也正在出现。逻辑堆叠在逻辑上的方法还没有普及,逻辑堆叠在内存上的方法目前正在兴起。
在封装中,目前备受关注的是小芯片。小芯片本身不是一种封装类型,但芯片制造商的库中可以拥有一个模块化裸片或多种小芯片,客户可以混合搭配这些芯片,并使用封装中裸片对裸片(Die-to-Die)的互连方案进行连接。
小芯片可以存在于现有的封装类型或新的体系架构中。这是一种架构方法,它正在为任务需求优化解决方案,这些需求包括速度、热量、功率等性能,有时还需要考虑成本因素。
一般信息
数据列表
TXB0104;
标准包装
3,000
包装
标准卷带
零件状态
有源
类别
集成电路(IC)
产品族
逻辑器件 - 转换器,电平移位器
系列
其它名称
296-21930-2规格
转换器类型
电压电平
通道类型
双向
电路数
1
每个电路的通道数
4
电压 - VCCA
1.2V ~ 3.6V
电压 - VCCB
1.65V ~ 5.5V
输入信号
输出信号
输出类型
三态,非反相
数据速率
100Mbps
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
特性
自动方向检测
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
14-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装
14-VQFN(3.5x3.5)
当下最先进的 2.5D 封装和 3D 封装是供应商所使用的现有互连方案和晶圆键合器。在这些封装中,使用铜凸块或铜柱堆叠和连接裸片,基于焊接材料,凸块和支柱在不同的设备之间提供小而快速的电气连接。
最先进的微型凸块的间距是 40μm 至 36μm,这里的间距包括一定的空间距离,例如 40μm 间距就是 25μm 的铜柱加上 15 微米的空间距离。
TAS5825P的功能强大的音频DSP实现了称作Hybrid-Pro的专有算法.该算法检测即将到来的音频功率需求,经由Hybrid-Pro反馈引脚(HPFB)为以前的DC/DC转换器提供PWM控制信号.该器件支持多达4ms的延迟缓冲器,为音频信号作好应对准备,防止音频限幅失真.和固定电源电压相比,电池寿命大约增加了50%,电源效率大于90%,90 mΩ RDSon,12V PVDD时的静态电流小于20mA.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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