薄膜SOI技术具有极好的鲁棒性和噪音免疫性用在内存堆栈

发布时间:2023/6/9 23:33:44 访问次数:61

这一方案将先进封装提高到一个新的水平，在当今先进封装案例中，供应商可以在封装中集成多裸片的 DRAM 堆栈，并使用现有的互连方案连接裸片。通过混合键合，DRAM 裸片可以使用铜互连的方法提供更高的带宽，这种方法也可以用在内存堆栈和其他高级组合的逻辑中。

它具有适用于不同应用的潜力，包括 3D DRAM，异构集成和芯片分解。

不过这是一项极具挑战性的工作。裸片对晶圆的混合键合需要原始的芯片、先进的设备和完美的集成方案，但是如果供应商能够满足这些要求，那么该项技术将成为高级芯片设计的诱人选择。

为改进设计，业界开发了片上系统（SoC），可以缩小每个具有不同功能的节点，然后在将它们封装到同一裸片上，但是随着单个节点正变得越来越复杂和昂贵，更多的人转向寻找新的替代方案。在传统的先进封装中组装复杂的芯片可以扩展节点，使用混合键合的先进封装则是另一种选择。

万分之五0.05%光颉MFR合金插件精密电阻应用领域：

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精度：±0.05%~±1%（可选）

封装：0318 0623 0932 1145 1550

温度系数(TCR)：±5 PPM/℃~±100PPM/℃（可选）

功率：1/8W 2/5W 3/5W 1/4W 1/2W 1W 2W 3W

阻值范围：1Ω~10MΩ（可选）

GlobalFoundry、英特尔、三星、台积电和联电都在致力于铜混合键合封装技术，Imec 和 Leti 也是如此。Xperi 正在开发一种混合键合技术，并将该技术许可给其他公司。

2ED2304S06F是650V半桥栅极驱动器,采用该公司的薄膜SOI技术,具有极好的鲁棒性和噪音免疫性.施密特触发逻辑输入和标准的CMOS或LSTTL逻辑兼容,直到3.3V.输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级,以最大限度降低驱动器的交叉导通.浮点通路用来驱动高边配置的N沟功率MOSFET或IGBT,电压高达650V.此外,离线的箝位功能提供固有的保护功能.输出源/沉电流+0.36 A/-0.7 A,集成了超快低RDS(ON)的自举二极管(BSD),负瞬态电压高达-100V(脉冲宽度达300ns),典型传输时延10ns, dV/dt免疫度±50V,栅极驱动器电源从10V到20V.两个通路欠压锁住,3.3V,5V和15V输入逻辑兼容,RoHS兼容.主要用在马达驱动,通用逆变器,电冰箱压缩机,通信和照明的离线AC/DC电源的半桥和全桥转换器.