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变宽的或变窄的驱动脉冲开关功率管的栅极

发布时间:2020/8/30 15:41:24 访问次数:4675

有直流电压输出,但输出电压过高,把高频脉冲电压送给高频变压器,高频变压器的次级(二次侧)就会感应出一定的高频脉冲交流电,并送给高频整流滤波电路进行整流,滤波。经高频整流滤波后便可得到我们所需的各种直流电压。输出电压下降或上升时,由取样电路将取样信号通过光电耦合器(PC817),送入控制电路,经过其内部调制,由控制电路的输出端将变宽的或变窄的驱动脉冲送到开关功率管的栅极(G极),使变换电路产生的高频脉冲方波也随之变宽或变窄,由此改变输出电压平均值的大小,从而使直流电压基本稳定在所须的电压值上。

CSD19506KCS 与CSD19536KCSN 通道器件现已开始批量供货,可通过TI 及其授权分销商全球网络进行订购。每款产品都采用3 引脚标准TO-220 封装。TI 还提供采用无引线5 毫米× 6 毫米SON 封装的40V、60V、80V 以及100V FET。

采用TO-220 及SON 封装的功率MOSFET,其支持40V 至100V 输入电压,进一步壮大了TI 普及型NexFET 产品阵营。高效率NexFET 包括40V、60V、80V 以及100V N 通道器件,可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。

最低导通电阻两款最新80V 及100V NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下,通过TO-220 封装实现业界最低导通电阻,从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506 可在高达80V 的输入电压下支持2.0 毫欧姆的导通电阻,而CSD19536 则可在100V 输入电压下支持2.3 毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装,支持高应力电机控制应用。此外,设计人员还可通过访问TI 获奖的WEBENCH® 在线设计工具便捷选择最新产品,模拟电源设计。

简单易用的评估板步进电机前置驱动器:DRV8711EVM评估板基于 DRV8711 步进电机控制器,与 NexFET 器件搭配,可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷 DC 电机;

 

电机驱动BoosterPack:BOOSTXL-DRV8301套件是基于 DRV8301 前置驱动器的 10A 三相位无刷 DC 驱动级,适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员;

数字电源:UCD3138PSFBEVM-027 可帮助电源开发人员设计数控移相离线 12V、360W 电源转换器应用;

负载点控制:TPS40170EVM-597评估板支持 TI 具有2 个NexFET 器件的 TPS40170 同步降压控制器。

关于NexFET 功率MOSFET,TI NexFET 功率MOSFET 技术可提升高功率计算、网络、工业以及电源的能源效率。这些高频率、高效率模拟功率MOSFET 可为系统设计人员提供现已上市的最高级DC/DC 电源转换解决方案。

80V 及100V NexFET 解决方案的视频概览;

最新电机控制解决方案指南;

加入德州仪器在线技术支持社区与同行工程师互动交流,咨询问题并帮助解决技术难题。

(素材来源:chinaaet.如涉版权请联系删除。特别感谢)

 

 

有直流电压输出,但输出电压过高,把高频脉冲电压送给高频变压器,高频变压器的次级(二次侧)就会感应出一定的高频脉冲交流电,并送给高频整流滤波电路进行整流,滤波。经高频整流滤波后便可得到我们所需的各种直流电压。输出电压下降或上升时,由取样电路将取样信号通过光电耦合器(PC817),送入控制电路,经过其内部调制,由控制电路的输出端将变宽的或变窄的驱动脉冲送到开关功率管的栅极(G极),使变换电路产生的高频脉冲方波也随之变宽或变窄,由此改变输出电压平均值的大小,从而使直流电压基本稳定在所须的电压值上。

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采用TO-220 及SON 封装的功率MOSFET,其支持40V 至100V 输入电压,进一步壮大了TI 普及型NexFET 产品阵营。高效率NexFET 包括40V、60V、80V 以及100V N 通道器件,可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。

最低导通电阻两款最新80V 及100V NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下,通过TO-220 封装实现业界最低导通电阻,从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506 可在高达80V 的输入电压下支持2.0 毫欧姆的导通电阻,而CSD19536 则可在100V 输入电压下支持2.3 毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装,支持高应力电机控制应用。此外,设计人员还可通过访问TI 获奖的WEBENCH® 在线设计工具便捷选择最新产品,模拟电源设计。

简单易用的评估板步进电机前置驱动器:DRV8711EVM评估板基于 DRV8711 步进电机控制器,与 NexFET 器件搭配,可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷 DC 电机;

 

电机驱动BoosterPack:BOOSTXL-DRV8301套件是基于 DRV8301 前置驱动器的 10A 三相位无刷 DC 驱动级,适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员;

数字电源:UCD3138PSFBEVM-027 可帮助电源开发人员设计数控移相离线 12V、360W 电源转换器应用;

负载点控制:TPS40170EVM-597评估板支持 TI 具有2 个NexFET 器件的 TPS40170 同步降压控制器。

关于NexFET 功率MOSFET,TI NexFET 功率MOSFET 技术可提升高功率计算、网络、工业以及电源的能源效率。这些高频率、高效率模拟功率MOSFET 可为系统设计人员提供现已上市的最高级DC/DC 电源转换解决方案。

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