UCC12050/40特色在于集成变压器技术，能够将电力传输隔离开来，并且将这样的功效性能在非常小型的IC尺寸内封装，能够提供500mW高效隔离的DC/DC电源。这款产品是第一款采用TI新型专有集成变压器技术的产品，能够实现业界上更低的EMI效率。

UCC12050在运输、电网架构、医疗应用等需要隔离的场景下具有很大优势，能够确保产品在高低电位差里受到保护，并正常地运作。

氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料及相关器件芯片已成为全球高技术领域竞争战略制高争夺点。GaN具有独特的异质结电子结构和二维电子气，在此基础上研制的高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种平面型器件，可以实现低导通电阻、高开关速度的优良特性。

业界在2015年左右才开始出现GaN的话题和需求，但布局超前的TI在2010年开始，就已经研发相关技术了。在2018年TI与西门子共同展示了首个10千瓦的云电网与GaN的连接。超过3000万小时的可靠性测试，来增加对于新的产品和新的原物料的信心。

标准包装：

1

类别：

连接器，互连器件

家庭：

卡边缘连接器 - 边缘板连接器

系列：

包装：

托盘

卡类型：

非指定 - 双边

公母：

母头

位/盘/排数：

43

针脚数：

86

卡厚度：

0.062"（1.57mm）

排数：

2

间距：

0.100"（2.54mm）

安装类型：

通孔，直角

端接：

焊接

触头材料：

铜铍

触头镀层：

金

触头镀层厚度：

30µin（0.76µm）

触头类型：

环形波纹管

颜色：

法兰特性：

材料 - 绝缘：

聚苯硫醚（PPS）

工作温度：

-65°C ~ 150°C

读数：

双

TI 150mΩ、70mΩ和50mΩ GaN FETs的完整产品组合已经进入批量生产阶段，TI也发表了其自主研发的一个对流冷却，能够提供900V、5kW双向AC/DC平台的产品，进一步扩展GaN 在汽车、并网存储和太阳能等领域的新应用。

TI的这款双向转换器能够支持900V，而且没有外围冷却风扇的情况下，峰值效率可以高达99.2%。该方案具有拓展性，是堆叠性的，它的功率密度能比传统的IGBT方案高出3倍左右。TI解决方案，包括C2000数字控制器产品，能够帮助客户实现完整的解决方案的设计。

TI一直是强调整体的解决方案，评估整个系统上能够带来成本的效益。当前大家看到GaN的成本是高于Silicon（硅）的，但长远发展上GaN更具有发展趋势，它的成本是能够低于硅的，以整体的系统和客户上面的效率来看，当产品尺寸缩小，减少热和功耗方面的损失，这个产品本身又能够实现比现有原物料更佳的成本基础。我们认为这是未来很重要的一个趋势。

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