高压非隔离式同步降压型开关稳压器控制器LTC7801，该器件采用紧凑的 24 引线封装，用于驱动一个全 N 沟道 MOSFET 功率级。其 4V 至 140V (150V 绝对最大值) 输入电压范围专为采用一个高输入电压电源或一个具有高电压浪涌的输入工作而设计，从而免除了增设外部浪涌抑制器件的需要。LTC7801 在输入电压降到低至 4V 时继续以高达 100% 的占空比操作，因而非常适合交通运输、工业控制、机器人和数据通信应用。

在输出电流高达 20A 的条件下，输出电压可设定在 0.8V 至 60V，并具有高达 96% 的效率。在输出电压处于调节状态时，该器件在睡眠模式中仅吸收 40μA，非常适合始终保持接通的系统。一个内部充电泵允许 100% 的占空比和在压差条件下工作，当在放电期间用电池供电时，这是一个有用的特性。LTC7801 强大的 1Ω N 沟道 MOSFET 栅极驱动器可在 5V 至 10V 的范围内调节，以允许使用逻辑或标准电平 MOSFET 以最大限度地提升效率。为了在高输入电压应用中防止片内产生高功耗，LTC7801 具有一个 NDRV 引脚，该引脚可驱动一个任选外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，此 MOSFET 充当一个向 IC 供电的低压差线性稳压器。

AS1741G-T

制造商:AMS

产品描述:

开关电路：SPST - 常开

多路复用器/解复用器电路：1:1

电路数：2

导通电阻（最大值）：800 毫欧

通道至通道匹配（ΔRon）：20 毫欧

电压 - 电源，单（V+）：1.6 V ~ 3.6 V

开关时间（Ton, Tof）（最大值）：22ns，14ns

-3db 带宽：130MHz

电荷注入：6pC

沟道电容 （CS(off），CD（off））：35pF，35pF

电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）：1nA

串扰：-100dB @ 1MHz

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

供应商器件封装：8-MSOP

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

充分利用现有的电源管理技术，在这里设计师可以集成一些现有的基于软件的方法或全部.

我们已经跟随超音速队多年，公司已经暴露在权力问题，超过250芯片设计，他们已经应用该机构知识和多年的在他们的片上网络产品功耗降低开发工作，目前正在重点解决对大盘的SoC市场的电源问题。没有为它提供商业解决方案看齐的IP供应商一个巨大的市场机遇通过在大型系统的公司，如苹果公司的“专家大军”开发的最先进的电源方案。与芯片设计团队打造主流产品在较为温和的体积比苹果的自动的电源管理解决方案，强大的被压抑的需求。超音速被很好地利用这个机会。

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