四款采用小型贴片式封装TSON Advance（WF），应用于车载器件的全新N沟道功率MOSFET。这些产品是我们新推出的采用TSON-Advance（WF）封装的低导通电阻N沟道MOSFET，它们分别是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。

新产品采用带有可焊锡侧翼端子结构的TSON Advance（WF）封装，便于对电路板安装条件进行自动目视检查。采用东芝“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻产品有助于设备节能。所以我们能够用它代替具有相同封装尺寸的传统东芝产品。性能改进还有利于通过更换类似的5×6mm尺寸的产品，以促进ECU的小型化。

作为DRAM经济实惠的替代产品。英特尔傲腾持久内存将容量大幅提升到了最高512 GB，同时提高了性能与效率，可支持内存数据库、分析工具和内容交付网络等应用。

它们既可以用作易失性内存，也可以用作高性能的持久数据层。为了方便集成，这些内存条兼容DDR4插槽，并且与DDR4 DRAM在同一总线/通道上运行，在与同一平台上的传统DDR4 DRAM DIMM搭配使用时，更能发挥设计灵活性。系统管理员可以将英特尔傲腾持久内存配置为对软件来说与DRAM无异的易失性内存，也可以将其设置为像SSD一样保存数据的非易失性内存，但其数据访问速度要比基于NAND的典型驱动器快225倍。

内存条提供128 GB、256 GB和512 GB的容量选择，并与第二代英特尔至强® 可扩展处理器家族兼容，可用于开发系统内存最高24 TB，最多八个插槽的系统。这些内存条可利用比NAND SSD更大的内存和更强的耐用性提升系统性能，适用于写入密集型工作负载。

应用直接访问模式 (App Direct Mode) 和内存模式 (Memory Mode)。用户可以根据具体的工作负载来定制自己的持久内存解决方案。英特尔傲腾持久内存可交互作为内存和存储设备工作，支持开发新的数据密集型应用，同时还通过最大限度地发挥处理器性能来推动基础架构整合。

特性

符合AEC-Q101

低导通电阻：

RDS(ON)＝3.8mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN3R804NC）

RDS(ON)＝7.1mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN7R104NC）

RDS(ON)＝6.7mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN6R706NC）

RDS(ON)＝12.0mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN12006NC）

带有可焊锡侧翼端子结构的小型贴片式封装TSON Advance（WF）：3.3×3.6 mm（典型值）

应用

车载设备

开关稳压器

DC-DC转化器

电机驱动器

产品规格

内部电路

应用电路示例