Transphorm在其900 V平台上所做的工作展示了高压氮化镓功率晶体管所具备的功能。该器件使我们能够支持我们之前无法涉足的应用。在提供这些50毫欧FET的样品时，我们见证了来自客户的浓厚兴趣。它们的供应状态现已转变为能够满足客户需求的大批量生产。

900 V GaN应用，伊利诺伊理工学院(IIT)目前正在一个先进能源研究计划署(ARPA-E)的Circuits计划中利用TP90H050WS开展相关工作，该计划将Transphorm的前沿产品与IIT的创新型固态开关拓扑独特结合。该项目将为可再生能源微电网生产可靠的固态断路器(SSCB)。它包括使用900 V GaN器件开发自主操作、可编程的智能双向SSCB。

我们的SSCB项目需要一种非传统的电源转换解决方案，该解决方案不仅要在速度方面优于机械式断路器，而且还需要帮助我们降低功耗。Transphorm的GaN技术超出了我们的预期。它提供完整封装、 高功率密度、可靠的双向性，并且作为市面上唯一的900 V GaN器件，以一种小型封装提供了前所未有的功率输出。

MC34074DR2G产品种类:运算放大器 - 运放RoHS:  安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-14电源电压-最大:44 V每个通道的输出电流:30 mA通道数量:4 ChannelGBP-增益带宽产品:4.5 MHzSR - 转换速率 :13 V/usCMRR - 共模抑制比:70 dBIb - 输入偏流:500 nAVos - 输入偏置电压 :5 mV电源电压-最小:3 V工作电源电流:7.6 mA最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C关闭:No Shutdown系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel放大器类型:General Purpose Amplifier 高度:1.5 mm (Max) 长度:8.75 mm (Max) 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:Bipolar 宽度:4 mm (Max) 商标:ON Semiconductor 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V en - 输入电压噪声密度:32 nV/sqrt Hz In—输入噪声电流密度:0.22 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 22 V 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:3 V to 44 V, +/- 1.5 V to +/- 22 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:70 dB

Microchip的EQCO125X40 系列CoaXPress 器件是首款采用 CXP 2.0 标准的产品，采用基于该规范的全新向后兼容设计，在所有速度级别上都集成了时钟数据恢复（CDR）和相机侧时钟，以支持实际环境的需求。这些器件使摄像机和采集卡的传输速度比其他解决方案快4到8倍，从而显著提高机器视觉处理吞吐量。此外，这些器件还能以更低功率和近乎零延迟支持四倍电缆/链路距离。

新产品系列还支持以任何速度无缝锁定从CXP-1到CXP-12的所有频率，提高了设计容差和灵活性，并通过单根电缆支持12.5 Gbps的带宽，消除了对多通道的需求。更广泛的布线选项确保了系统可以安装在需要的地方，集成的CDR改善了从摄像机发送到采集卡的信号防抖性能。摄像机低频时钟恢复功能消除了在FPGA进行单独时钟编程的需要。集成的链路信号完整性测试使系统能够在运行前和运行期间对电缆链路完整性进行实时检查。

Microchip推出的这款新产品能使其以更低成本开发更强大的产品，帮助客户将产品部署在生产线上任何需要的地方。新产品可以进行预设置和实时电缆链路质量测试，为用户提供更强大、更全面的解决方案，以应对他们的挑战。他们还可以选择通过多条电缆扩展到50 Gbps。

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