LMG341xR070是集成了驱动器和保护特性的GaN功率级,在功率电子系统中达到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有优势是超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,而低开关节点振铃则降低了EMI.这些优点使得功率密度和拓扑类似于图腾柱PFC.集成的驱动器具有零共源电感,MHz工作时20ns传输时延,可调栅极偏压增加了可靠性,用户可调整转换速率从25到100V/ns.强健的保护特性包括不需要外接保护元件,小于100ns响应的过流保护,大于150V/ns的转换速率免疫性,瞬态过压免疫性以及超温保护,所有电源轨上有UVLO保护.器件对级联或单独使用都有优秀的性能,用于开关性能和EMI控制的可调整的驱动强度,具有数字故障状态输出信号,仅需要+12V未稳压电源, 8mm x 8mm QFN封装.主要用在高密度工业和消费类电源,多级转换器,太阳能逆变器,工业马达驱动,UPS和高压电池充电器.

Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件，符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣的工作环境，由于其额定温度为+175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩，开关速度非常快，ESD电阻高。Nexperia MOSFET采用先进的业界领先的小型封装，将高功率和热效率与极高的质量水平相结合。FEATURES符合AEC-Q101标准 重复雪崩级 导通电阻低 优异的电流处理能力 多种封装类型，实现设计灵活性紧凑外形 温度范围：高达+175oC VDS范围：-70V至100V（最大值） ID范围：-6A至228A（最大值） 符合RoHS指令应用电动转向系统 发动机管理 集成的启动器发电机 传动控制汽车照明 制动/ABS系统 气候控制 高性能电源开关产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:101 A

整体把控，持续向高速迁移,数据中心向着更高速度的迈进需要循序开展。随着应用程序和服务的发展，存储和服务器的速度也必须提高。采用模块化的方法来处理重复性的定期升级，有助于减少规划和落实更改所需的时间和成本。我们建议采用一种整体的方式，交换机、光学器件和光纤布线应作为一个协同的传输路径。最终，所有这些组件如何协同工作，将决定网络为全新和未来应用提供可靠且有效支持的能力。当今的挑战是400G，未来将会是800G和1.6T。虽然网络技术不断变化，但对高质量光纤基础设施的基本要求将持续。