80V N沟道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”产品线中新增了四位“新成员”，该系列产品专门用于工业设备的开关式电源。其中，“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)[1]贴片式封装技术实现焊盘图案的工业兼容性；“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封装技术。

通过采用最新工艺的U-MOSX-H制程和一种低压沟槽结构，这几款新产品具有行业领先的[2]低漏源导通电阻。通过优化器件结构，还提高了导通电阻与输出电荷之间的互商性[3]，从而可减少导通损耗并有助于降低设备能耗。这几款新产品沿袭了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性，因此降低了“漏源导通电阻与栅极开关电荷的乘积”[4]，该值为开关应用领域的一个品质因数。

小型4引脚SO6封装的新型光继电器“TLP170AM”和“TLP170GM”，适用于安全系统、楼宇自动化和其他工业设备。

新产品的最高触发LED电流为1mA，通过提升光电二极管阵列的灵敏度，降低了输入端功耗。在电池供电的安全装置和各种传感器中使用这种光继电器进行开关控制，有助于降低功耗，同时延长设备的使用寿命。

TLP170AM的断态输出端额定电压为60V，恒定导通电流（ION）为0.7A，脉冲状态工作时最高可达2.1A。TLP170GM为350V版本，ION恒定电流为110mA，脉冲状态工作时为330mA。

4引脚SO6封装可提供3750Vrms的最低绝缘电压，方便在要求高绝缘性能的设备中使用这些器件。

应用：

安全系统

无源传感器（PIR[1]）等

工业设备

可编程逻辑控制器、I/O接口、各种传感器控制等

楼宇自动化系统

代替机械式继电器

特性：

低触发LED电流：IFT＝1mA（最大值）

小型封装：4引脚SO6

高绝缘电压：BVs＝3750Vrms（最小值）

30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。

日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC，栅极电荷与导通电阻乘积，即开关应用中MOSFET的重要优值系数 (FOM) 为185 mW*nC，达到同类产品最佳水平。

器件是输入电压12 V电路的理想选择，适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能，以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。SiRA99DP减少并联器件数量，换句话说，加大单个器件电流，从而提高功率密度，节省这些应用的主板空间。此外，作为p沟道MOSFET，器件不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

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