静态电流方面，TI的强项一直便是做低静态电流，这款产品就拥有小于1μA的静态电流，这意味着最小系统下，电源拥有更低的待机功耗，从而使得电池储存时间演唱了5倍。这是TI目前尝试的更低静态电流，TI仍然会持续优化开关的静态电流。

在30W的充电功率下，使用新产品，可使快速充电效率达到97%。

150mΩ、70mΩ和50mΩ GaN FETs的完整产品组合正在研发和批量生产，而在TI GaN平台上进一步扩展了汽车、并网存储和太阳能灯领域的新应用。

最近TI展出了GaN方向的900V，5kW双向转化器的演示，通过演示可以看出在没有外围冷却风扇的情况下，峰值效率可以高达99.2%，功率密度能比传统的IGBT方案高出3倍左右。而在这样的解决方案中，也使用了自家的 C2000数字控制器产品，提供了一整套的解决方案。

GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）被人称之为“第三代半导体材料”，究其历史，第一代以Si、Ge为代表、第二代以GaAs、InP III-V族化合物为代表、第三代以SiC、GaN为代表。第三代半导体材料用其优异的材料物理特性，为电子器件性能功耗和尺寸提供了更多的发挥空间。

GaN一般多用于1200V以下的中低压功率器件及射频、光伏、光电领域，而碳化硅（SiC）则主要适用于高压功率器件领域。但无论从哪方面性能来说，都不难发现身为第三代半导体材料的GaN全面碾压硅和第二代半导体材料。

TI就已经研发相关技术，而业界在2015年左右才陆陆续续有这样的话题和需求，不难看出TI的布局是超前的。与西门子共同演示和10千瓦云电网产品。将会有超过3000万小时的可靠性测试，来增加对于新的产品和新的原物料的信心。

GaN本身能让我们实现开关的速度更快，在开关的过程中，就会产生功率、功耗甚至热的损失。当我们把开关速度加快，就能够把功率和功耗上的损耗以及过冲减少。

目前TI在GaN方面的最新规划和进展集中在三点：

目前TI在GaN上实现了速度翻倍，功耗减半。在切换速度上可以达到150V/ns，开关频率可以高达2MHz甚至10MHz以上的速度，Mark Gary为记者介绍道。

TI在GaN上拥有终身可靠性。具体来说，拥有自我保护，可以防止极端浪涌、电流和温度条件，拥有超过3000万可靠性小时的实验资料，超过10年低于1FIT，能够确保这个产品终身的可靠性。

TI的GaN会在自己的工厂和供应链上生产，以保证支持客户的不间断业务。如今仍然可以看到GaN成本是高于Silicon（硅）的，但从长远发展上看GaN更具发展优势的。Mark Gary表示，以整体的系统和客户上面的效率来看，当产品尺寸进一步缩小，热和功耗方面的损失进一步减少以后，产品本身能够实现比现有原物料更佳的成本基础，我们认为这是未来很重要的一个趋势。

TI的观点一直是强调整体的解决方案和整个系统层面的成本效益，而不是单纯针对于目前GaN或者硅产品的材料成本比较，更加值得关注的是仍然是整体系统和应用层面的效益。TI在GaN方面提供的仍然是整体解决方案，并在整体上具有成本优势。

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