印制电路板的EMC设计,元器件、电路和地线引起的骚扰都会在印制电路板上反映出来。印制电路板的EMC 工程设计非常关键。印制电路板的布线要合理，如采用多层板，电源线与地线靠近，时钟线、信号线与地线的距离要近等，以减少电路工作时引起内部噪声。严格执行印制电路板的工艺标准和规范，模拟和数字电路分层布局，以达到板上各电路之间的相互兼容。

在进行EMC 设计时，不能忽略对静电放电(ESD)的防护。ESD 防护的关键，一是防止静电核的产生和积累，再就是阻隔ESD 效应的发生。

EMC 测试包括测试方法、测量仪器和试验场所，测试方法以各类标准为依据，测量仪器以频域为基础，试验场地是进行EMC 测试的先决条件，也是衡量EMC 工作水平的重要因素。EMC 检测受场地的影响很大，尤其以电磁辐射发射、辐射接收与辐射敏感度的测试对场地的要求最为严格。国内外常用的试验场地有：开阔场、半电波暗室、屏蔽室和横电磁波小室等。

AS1345A-BTDT-AD

制造商:AMS

产品描述:

电压 - 输出（最大值）：18V

电流 - 输出：1A（开关）

同步整流器：无

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-uFDFN

输出配置：正

输出类型：可调式

输出数：1

电压 - 输入（最小值）：2.9V

类型：模制

材料 - 磁芯：酚醛塑料

感值：360nH

偏差：±5%

额定电流：700mA

屏蔽：无屏蔽

DC 电阻（DCR）：300 毫欧最大

不同频率时的 Q 值：30 @ 25MHz

频率 - 自谐振：365MHz

频率 - 测试：25MHz

尺寸 ：0.095" 直径 x 0.250" 长（2.41mm x 6.35mm）

拓扑：升压

电压 - 输出（最小值/固定）：5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

Power Integrations的适用于碳化硅(SiC) MOSFET的SIC118xKQ SCALE-iDriver™门极驱动器现已通过AEC-Q100汽车级认证。这款高效率单通道器件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求，并且集成了先进的安全和保护特性。

SIC1182KQ (1200 V)和SIC1181KQ (750 V)门极驱动器IC集成了PI革命性的FluxLink™通信技术，可提供优异的绝缘能力，并且实现安全可靠、高性价比的300 kW以下逆变器设计。

主要特性包括：

SiC MOSFET优化的高级有源钳位(AAC)

原方和副方欠压保护(UVLO)

超快速短路检测

轨到轨输出电压且稳压

副方单极电源供电

碳化硅MOSFET技术有助于实现更轻便小巧的汽车逆变器系统。尽管SiC的开关速度和工作频率更高，但SCALE-iDriver的低门极电阻值可用来维持高开关效率，小于2 μs的短路关断时间可在发生故障时快速为系统提供保护。

(素材来源：21IC和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）