磁保持干簧管对磁铁实现锁存的功能
发布时间:2020/8/6 0:08:48 访问次数:2176
电网升级对电源提出了更加严酷的要求:高抗干扰,高抗跌落,超宽工作环温,高可靠性等特点,TDK-Lambda推出各种终端应用电源:
在智能输配电端:专门研发推出电力电源CUS-E系列产品,主要应用于继电保护,就地化等。可满足国家电力前沿规划布局要求:EMS超level 4等级---Surge/EFT6KV criteria A,-40-+85℃工作环温,无包装1m跌落无损坏。
TWS的电池容量通常低于100-mAh。为了保护并准确地给这些小容量电池充电,我们需要更精确的电流测量。传统电池充电器和电量计在监测更大的电池(如充电箱中的电池)电流方面表现出色,但在监测更低电流方面常常表现一般。
专用电流检测放大器在测量小电流时更加准确。如果您的设计中已经有了微控制器(MCU)或电源管理集成电路(PMIC),那么您可以基于写入MCU或PMIC的算法来使用这些放大器的输出监测和测量电池使用次数和电池寿命。一个带有外部电流检测放大器和控制器的电量计。

三款双稳态 TMR 磁开关传感器 TMR1212/TMR1213/TMR1215。这三款新产品是低功耗的双极型 TMR 开关传感器,可以在掉电的情况下无需电源供电即可探测并存储由磁场极性触发的开/关状态。这种无源磁记忆效应非常适用于电梯门平层开关、磁翻板液位计、非接触磁旋钮,以及许多需要在位置和速度测量中进行故障保护操作的工业应用。
MDT 是业内首家的 TMR 传感器批量供应商。MDT 采用其专利的 TMR 技术和自有的生产设备进行设计和制造的 TMR 传感器,具有许多独特的优势,包括低功耗、高灵敏度、低噪声和无源磁记忆效应。它们是各种工业、汽车、消费和医疗传感器应用的理
MDT 独有的 TMR 技术实现了无源磁记忆效应,可适用于多种高端工业应用场景在出现断电故障的情况下,TMR1212/TMR1213/TMR1215 可以无源地保存传感器的开/关状态。在恢复电源供电后,传感器可以立即输出最近一次更新的状态。它们支持全时供电模式下的高速操作,同时具有1.5微安的低功耗。开关灵敏度设定在20至90高斯之间,可以支持各种使用条件。
在市场上包括霍尔效应、各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR) 和 TMR 的所有基于半导体技术的磁传感器产品中,MDT 的双稳态 TMR 开关是唯一能够实现无源磁记忆功能的产品。磁保持干簧管 (Reed switch) 可以通过附加的一对磁铁实现锁存的功能,致使它的体积会很大。双稳态 TMR 开关传感器采用标准的 SOT23 或 TO92 封装,占用空间非常小,在成本效益上有更强的竞争力,具有更高的可靠性以及无源磁记忆操作与低功耗的高速有源模式的独特结合。得益于 MDT 强大的知识产权组合和先进的制造设备,我们能够为客户提供 TMR 技术的最佳价值。在不断增长的 TMR 传感器产品系列中,我们的 TMR 技术结合了现有磁传感器技术的主要优势,同时也克服了它们的局限性。
制造商: ROHM Semiconductor产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HTSOP-J8ES-8
输出电压: 0.8 V to 42 V
输出电流: 1.5 A
输出端数量: 1 Output
最大输入电压: 42 V
拓扑结构: Buck
最小输入电压: 4.5 V
开关频率: 250 kHz to 500 kHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
资格: AEC-Q100
封装: Reel
输入电压: 4.5 V to 42 V
类型: Buck Converter
商标: ROHM Semiconductor
关闭: Shutdown
工作电源电流: 1.2 mA
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
电源电压-最小: 4.5 V
零件号别名: BD9G201EFJ-M

(素材来源:21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢)
电网升级对电源提出了更加严酷的要求:高抗干扰,高抗跌落,超宽工作环温,高可靠性等特点,TDK-Lambda推出各种终端应用电源:
在智能输配电端:专门研发推出电力电源CUS-E系列产品,主要应用于继电保护,就地化等。可满足国家电力前沿规划布局要求:EMS超level 4等级---Surge/EFT6KV criteria A,-40-+85℃工作环温,无包装1m跌落无损坏。
TWS的电池容量通常低于100-mAh。为了保护并准确地给这些小容量电池充电,我们需要更精确的电流测量。传统电池充电器和电量计在监测更大的电池(如充电箱中的电池)电流方面表现出色,但在监测更低电流方面常常表现一般。
专用电流检测放大器在测量小电流时更加准确。如果您的设计中已经有了微控制器(MCU)或电源管理集成电路(PMIC),那么您可以基于写入MCU或PMIC的算法来使用这些放大器的输出监测和测量电池使用次数和电池寿命。一个带有外部电流检测放大器和控制器的电量计。

三款双稳态 TMR 磁开关传感器 TMR1212/TMR1213/TMR1215。这三款新产品是低功耗的双极型 TMR 开关传感器,可以在掉电的情况下无需电源供电即可探测并存储由磁场极性触发的开/关状态。这种无源磁记忆效应非常适用于电梯门平层开关、磁翻板液位计、非接触磁旋钮,以及许多需要在位置和速度测量中进行故障保护操作的工业应用。
MDT 是业内首家的 TMR 传感器批量供应商。MDT 采用其专利的 TMR 技术和自有的生产设备进行设计和制造的 TMR 传感器,具有许多独特的优势,包括低功耗、高灵敏度、低噪声和无源磁记忆效应。它们是各种工业、汽车、消费和医疗传感器应用的理
MDT 独有的 TMR 技术实现了无源磁记忆效应,可适用于多种高端工业应用场景在出现断电故障的情况下,TMR1212/TMR1213/TMR1215 可以无源地保存传感器的开/关状态。在恢复电源供电后,传感器可以立即输出最近一次更新的状态。它们支持全时供电模式下的高速操作,同时具有1.5微安的低功耗。开关灵敏度设定在20至90高斯之间,可以支持各种使用条件。
在市场上包括霍尔效应、各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR) 和 TMR 的所有基于半导体技术的磁传感器产品中,MDT 的双稳态 TMR 开关是唯一能够实现无源磁记忆功能的产品。磁保持干簧管 (Reed switch) 可以通过附加的一对磁铁实现锁存的功能,致使它的体积会很大。双稳态 TMR 开关传感器采用标准的 SOT23 或 TO92 封装,占用空间非常小,在成本效益上有更强的竞争力,具有更高的可靠性以及无源磁记忆操作与低功耗的高速有源模式的独特结合。得益于 MDT 强大的知识产权组合和先进的制造设备,我们能够为客户提供 TMR 技术的最佳价值。在不断增长的 TMR 传感器产品系列中,我们的 TMR 技术结合了现有磁传感器技术的主要优势,同时也克服了它们的局限性。
制造商: ROHM Semiconductor产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HTSOP-J8ES-8
输出电压: 0.8 V to 42 V
输出电流: 1.5 A
输出端数量: 1 Output
最大输入电压: 42 V
拓扑结构: Buck
最小输入电压: 4.5 V
开关频率: 250 kHz to 500 kHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
资格: AEC-Q100
封装: Reel
输入电压: 4.5 V to 42 V
类型: Buck Converter
商标: ROHM Semiconductor
关闭: Shutdown
工作电源电流: 1.2 mA
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
电源电压-最小: 4.5 V
零件号别名: BD9G201EFJ-M

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