MIT用银硅铜合金造出了忆阻器，来模拟人脑中的突触。这种芯片只有纸屑那么大，每平方毫米却有数万个忆阻器，能够“记忆”图像的高清细节，为边缘计算带来福音。

忆阻器是一种特别的晶体管，研究人员用它来模拟人神经系统中的突触，也就是两个神经元之间连接的部分，负责把一个神经元的信号传导到下一个神经元中去。

传统的晶体管只能在0和1之间变换，但忆阻器可并不只有这两种状态，它提供的值是梯度变化的，收到的信号越强，忆阻器的值也就越大。

忆阻器本身有正极和负极，中间有介质。如果一极接电，那么就会有离子穿越介质，跑到另一极去。

已有的忆阻器里，如果电压比较大，导电通道也比较大，那么上述离子穿越的过程效果是比较好的。

但是如果电流不够大，导电通道也不够大，那效果就不够好了。

为了让忆阻器这种厉害的晶体管发挥作用，MIT的研究者们设计了另一种制造忆阻器的方法。

银+硅+铜，忆阻器+1

制造商: ROHM Semiconductor

rpmh产品种类: 低压差稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HTSOP-J-8

输出电压: 3.3 V

输出电流: 1 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 5.5 V

最小输入电压: 2.4 V

输出类型: Fixed

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 105 C

回动电压: 400 mV

资格: AEC-Q100

系列: BD33IC0MEFJ

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

产品: LDO Voltage Regulators

类型: Automotive LDO Regulator

商标: ROHM Semiconductor

回动电压—最大值: 600 mV

输出电压范围: -

Ib - 输入偏流: 250 uA

线路调整率: 25 mV

负载调节: 25 mV

Pd-功率耗散: 2.11 W

产品类型: LDO Voltage Regulators

工厂包装数量: 2500

子类别: PMIC - Power Management ICs

零件号别名: BD33IC0MEFJ-M

单位重量: 54 m

用硅来做忆阻器的负极，用银来做忆阻器的正极，然后加入少量的铜。

铜既可以与银结合，也可以与硅结合，就像一座桥梁，连接了银和硅两端。

单个的忆阻器就造好了，然后他们在一平方毫米的硅片上放了上万个忆阻器，组成了一个芯片。

芯片造好之后，他们就用美国队长的图片来做测试。

图片中的一个像素相当于芯片里的一个忆阻器，根据每个像素的颜色调整每个忆阻器的电导。

第三行是这次新忆阻器芯片的结果，芯片可以“记住”图像，使其重复出现。

还可以运行特定的程序，针对图片做锐化、模糊等各种各种处理方式。

(素材来源：21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢）